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半导体装置制造用的临时保护膜、卷轴体以及制造半导体装置的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201980070533.8
申请日
:
2019-11-07
公开(公告)号
:
CN112930261A
公开(公告)日
:
2021-06-08
发明(设计)人
:
黑田孝博
名儿耶友宏
友利直己
申请人
:
申请人地址
:
日本东京
IPC主分类号
:
B32B2508
IPC分类号
:
B32B2700
C09J1106
H01L2314
H01L2329
H01L2331
C09J13300
C09J725
C09J738
代理机构
:
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
:
白丽
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-25
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):B32B 25/08 申请日:20191107
2021-06-08
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法
[P].
武笠真之介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
武笠真之介
;
伊藤滉大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
伊藤滉大
.
日本专利
:CN120981917A
,2025-11-18
[2]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法
[P].
武笠真之介
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
武笠真之介
;
伊藤滉大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
伊藤滉大
.
日本专利
:CN121127964A
,2025-12-12
[3]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法
[P].
伊藤滉大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
伊藤滉大
.
日本专利
:CN119343763A
,2025-01-21
[4]
半导体装置制造用临时保护膜
[P].
友利直己
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
友利直己
.
中国专利
:CN307115265S
,2022-02-18
[5]
半导体装置制造用临时保护膜
[P].
友利直己
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
友利直己
.
中国专利
:CN306185629S
,2020-11-24
[6]
半导体装置的制造方法以及半导体装置
[P].
金子裕一
论文数:
0
引用数:
0
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0
金子裕一
.
中国专利
:CN104103508A
,2014-10-15
[7]
半导体装置的制造方法以及半导体装置
[P].
有马一纱
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社东芝
株式会社东芝
有马一纱
.
日本专利
:CN119650439A
,2025-03-18
[8]
临时保护膜、卷轴体、包装体、捆包体、临时保护体及制造半导体装置的方法
[P].
黑田孝博
论文数:
0
引用数:
0
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0
黑田孝博
;
名儿耶友宏
论文数:
0
引用数:
0
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0
名儿耶友宏
;
友利直己
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
友利直己
.
中国专利
:CN114365268A
,2022-04-15
[9]
半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法
[P].
镰田润
论文数:
0
引用数:
0
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0
镰田润
;
川崎登
论文数:
0
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川崎登
;
宇杉真一
论文数:
0
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0
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0
宇杉真一
;
助川诚
论文数:
0
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0
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0
助川诚
;
木下仁
论文数:
0
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0
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0
木下仁
;
五十岚康二
论文数:
0
引用数:
0
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0
五十岚康二
;
森本哲光
论文数:
0
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0
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0
森本哲光
.
中国专利
:CN107750386A
,2018-03-02
[10]
半导体装置以及半导体装置的制造方法
[P].
小泽梓
论文数:
0
引用数:
0
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0
小泽梓
.
中国专利
:CN107665883B
,2018-02-06
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