半导体装置制造用的临时保护膜、卷轴体以及制造半导体装置的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980070533.8
申请日
2019-11-07
公开(公告)号
CN112930261A
公开(公告)日
2021-06-08
发明(设计)人
黑田孝博 名儿耶友宏 友利直己
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
B32B2508
IPC分类号
B32B2700 C09J1106 H01L2314 H01L2329 H01L2331 C09J13300 C09J725 C09J738
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
白丽
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法 [P]. 
武笠真之介 ;
伊藤滉大 .
日本专利 :CN120981917A ,2025-11-18
[2]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法 [P]. 
武笠真之介 ;
伊藤滉大 .
日本专利 :CN121127964A ,2025-12-12
[3]
半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法 [P]. 
伊藤滉大 .
日本专利 :CN119343763A ,2025-01-21
[4]
半导体装置制造用临时保护膜 [P]. 
友利直己 .
中国专利 :CN307115265S ,2022-02-18
[5]
半导体装置制造用临时保护膜 [P]. 
友利直己 .
中国专利 :CN306185629S ,2020-11-24
[6]
半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P]. 
金子裕一 .
中国专利 :CN104103508A ,2014-10-15
[7]
半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P]. 
有马一纱 .
日本专利 :CN119650439A ,2025-03-18
[8]
临时保护膜、卷轴体、包装体、捆包体、临时保护体及制造半导体装置的方法 [P]. 
黑田孝博 ;
名儿耶友宏 ;
友利直己 .
中国专利 :CN114365268A ,2022-04-15
[9]
半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法 [P]. 
镰田润 ;
川崎登 ;
宇杉真一 ;
助川诚 ;
木下仁 ;
五十岚康二 ;
森本哲光 .
中国专利 :CN107750386A ,2018-03-02
[10]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
小泽梓 .
中国专利 :CN107665883B ,2018-02-06