半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380042642.5

申请日：

2023-05-12

公开(公告)号：

CN119343763A

公开(公告)日：

2025-01-21

发明(设计)人：

伊藤滉大

申请人：

株式会社力森诺科

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L21/56

IPC分类号：

C09J7/38 C09J11/06 C09J133/06 C09J133/14 H01L21/02 H01L23/29 H01L23/31

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

白丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/56申请日:20230512
2025-01-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法 [P].

武笠真之介 ;

伊藤滉大 .

日本专利 :CN120981917A ,2025-11-18

[2]

半导体装置制造用临时保护膜及半导体装置的制造方法 [P].

武笠真之介 ;

伊藤滉大 .

日本专利 :CN121127964A ,2025-12-12

[3]

半导体装置制造用临时保护膜 [P].

友利直己 .

中国专利 :CN307115265S ,2022-02-18

[4]

半导体装置制造用临时保护膜 [P].

友利直己 .

中国专利 :CN306185629S ,2020-11-24

[5]

半导体装置制造用的临时保护膜、卷轴体以及制造半导体装置的方法 [P].

黑田孝博 ;

名儿耶友宏 ;

友利直己 .

中国专利 :CN112930261A ,2021-06-08

[6]

保护膜以及使用该保护膜的半导体装置的制造方法 [P].

助川诚 ;

木下仁 ;

田原修二 .

中国专利 :CN105981137A ,2016-09-28

[7]

半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法 [P].

黑田孝博 ;

名儿耶友宏 ;

友利直己 .

日本专利 :CN117334646A ,2024-01-02

[8]

半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法 [P].

黑田孝博 ;

名儿耶友宏 ;

友利直己 .

中国专利 :CN111386594A ,2020-07-07

[9]

半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法 [P].

友利直己 ;

名儿耶友宏 ;

黑田孝博 .

中国专利 :CN111406308A ,2020-07-10

[10]

带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

稻男洋一 ;

佐藤明德 .

中国专利 :CN109287125A ,2019-01-29

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