一种功率半导体器件的封装结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202120763876.7
申请日
2021-04-14
公开(公告)号
CN215266282U
公开(公告)日
2021-12-21
发明(设计)人
李高显 王锁海 党晓波
申请人
申请人地址
215104 江苏省苏州市吴中区越溪友翔路16号
IPC主分类号
H01L23495
IPC分类号
H01L2331
代理机构
深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217
代理人
陆军
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种功率半导体器件的封装结构 [P]. 
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功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件 [P]. 
郝炜 ;
唐新灵 ;
魏晓光 ;
于克凡 ;
石浩 ;
代安琪 ;
林仲康 ;
田延忠 .
中国专利 :CN119920772B ,2025-06-03