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氮化硅壳体强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910126687.6
申请日
:
2019-02-20
公开(公告)号
:
CN109721381B
公开(公告)日
:
2019-05-07
发明(设计)人
:
杨自春
杨飞跃
赵爽
陈国兵
陈俊
袁硕伟
申请人
:
申请人地址
:
430033 湖北省武汉市解放大道717号
IPC主分类号
:
C04B3810
IPC分类号
:
C04B35584
C04B35622
C04B3564
C04B4187
代理机构
:
武汉开元知识产权代理有限公司 42104
代理人
:
马辉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-05-07
公开
公开
2021-03-30
授权
授权
2019-05-31
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 38/10 申请日:20190220
共 50 条
[1]
氮化硅纳米线强化氮化硅泡沫陶瓷的制备方法
[P].
杨自春
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杨自春
;
赵爽
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赵爽
;
杨飞跃
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杨飞跃
;
陈国兵
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陈国兵
;
陈俊
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陈俊
;
袁硕伟
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袁硕伟
.
中国专利
:CN109796222A
,2019-05-24
[2]
氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板
[P].
杨晓冬
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机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
杨晓冬
;
冼锐炜
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机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
冼锐炜
.
中国专利
:CN120349192A
,2025-07-22
[3]
氮化硅陶瓷的制备方法
[P].
何东
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何东
;
张天宇
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张天宇
;
宋晓超
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宋晓超
;
张天舒
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张天舒
.
中国专利
:CN106866154A
,2017-06-20
[4]
氮化硅陶瓷的制备方法
[P].
高礼文
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高礼文
;
樊震坤
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樊震坤
;
许业静
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许业静
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刘天程
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刘天程
;
范勇
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范勇
;
刘宝英
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刘宝英
;
刘德军
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刘德军
.
中国专利
:CN101555141A
,2009-10-14
[5]
氮化硅陶瓷的制备方法
[P].
玄伟东
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玄伟东
;
任忠鸣
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任忠鸣
;
赵登科
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赵登科
;
刘利俊
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刘利俊
;
兰健
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兰健
;
李传军
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李传军
.
中国专利
:CN107673765A
,2018-02-09
[6]
氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷
[P].
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机构:
韩召
;
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机构:
刘鹏飞
;
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机构:
郗威
;
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机构:
吴六顺
.
中国专利
:CN118420356A
,2024-08-02
[7]
一种光固化氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法
[P].
伍尚华
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伍尚华
;
黄容基
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黄容基
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伍海东
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伍海东
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蒋强国
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蒋强国
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鲁欣欣
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鲁欣欣
.
中国专利
:CN108892515B
,2018-11-27
[8]
氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
杨晓冬
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机构:
长沙华驰微电子技术有限公司
长沙华驰微电子技术有限公司
杨晓冬
.
中国专利
:CN117776739A
,2024-03-29
[9]
一种光固化氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷的制备方法
[P].
伍尚华
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伍尚华
;
邹文劲
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邹文劲
;
黄瑶
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黄瑶
.
中国专利
:CN114524676A
,2022-05-24
[10]
氮化硅质泡沫陶瓷及其制备方法
[P].
王洪升
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王洪升
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王重海
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王重海
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李伶
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李伶
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刘建
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刘建
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韦其红
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韦其红
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高芳
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高芳
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翟萍
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翟萍
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陈达谦
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陈达谦
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栾艺娜
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栾艺娜
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中国专利
:CN102093076B
,2011-06-15
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