一种N极性氮化物模板、N极性氮化物器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110068061.1

申请日：

2021-01-19

公开(公告)号：

CN112786751A

公开(公告)日：

2021-05-11

发明(设计)人：

陈洋孙晓娟黎大兵蒋科贲建伟张山丽石芝铭臧行

申请人：

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01L3318

IPC分类号：

H01L3332 H01L3312 H01L3300

代理机构：

深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316

代理人：

魏毅宏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-11	公开	公开
2021-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/18 申请日:20210119

共 50 条

[1]

极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜 [P].

李成果 ;

曾巧玉 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN111128689A ,2020-05-08

[2]

氮化物模板的制备方法、氮化物模板及半导体器件 [P].

王国斌 ;

李建洁 .

中国专利 :CN120895464A ,2025-11-04

[3]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12

[4]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

[5]

氮化物器件及其制备方法 [P].

蔡文必 ;

刘胜厚 ;

卢益锋 ;

孙希国 ;

谷鹏 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN113690297A ,2021-11-23

[6]

氮化物功率器件及其制备方法 [P].

刘成 ;

田野 ;

何俊蕾 ;

赵杰 ;

郭德霄 ;

刘洋 ;

叶念慈 .

中国专利 :CN111883578A ,2020-11-03

[7]

基于N极性氮化物材料的光电转换结构及制备方法 [P].

许晟瑞 ;

范晓萌 ;

王学炜 ;

郝跃 ;

张进成 ;

李培咸 ;

张春福 ;

马晓华 ;

毕臻 ;

艾立霞 .

中国专利 :CN109004055A ,2018-12-14

[8]

基于N极性III族氮化物纳米线的LED器件 [P].

Y·马尔霍特拉 ;

A·潘德尼 ;

米泽田 .

美国专利 :CN118318312A ,2024-07-09

[9]

氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件 [P].

郭艳敏 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

王波 ;

张志荣 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

房玉龙 ;

冯志红 .

中国专利 :CN113628953A ,2021-11-09

[10]

基于非极性m面的氮化物CMOS器件及其制备方法 [P].

许晟瑞 ;

刘洋 ;

陶鸿昌 ;

张涛 ;

苏华科 ;

刘旭 ;

高源 ;

贾敬宇 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120417480A ,2025-08-01

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