氮化物模板的制备方法、氮化物模板及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511047940.0

申请日：

2025-07-29

公开(公告)号：

CN120895464A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

王国斌李建洁

申请人：

江苏第三代半导体研究院有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

代理机构：

苏州领跃知识产权代理有限公司 32370

代理人：

郝改烨

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250729

共 50 条

[1]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12

[2]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

[3]

氮化物半导体模板 [P].

今野泰一郎 ;

藤仓序章 ;

松田三智子 .

中国专利 :CN106409664A ,2017-02-15

[4]

氮化物半导体模板、氮化物半导体模板的制造方法以及氮化物半导体自支撑基板的制造方法 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN109312491A ,2019-02-05

[5]

制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

小池正好 ;

小岛彰 ;

平松敏夫 ;

手钱雄太 .

中国专利 :CN1189920C ,2003-04-23

[6]

制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1413357A ,2003-04-23

[7]

氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件 [P].

郭艳敏 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

王波 ;

张志荣 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

房玉龙 ;

冯志红 .

中国专利 :CN113628953A ,2021-11-09

[8]

氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件 [P].

中畑成二 ;

上松康二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN100468627C ,2007-03-14

[9]

氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法 [P].

吉田学史 ;

彦坂年辉 ;

原田佳幸 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103682009A ,2014-03-26

[10]

氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法 [P].

彦坂年辉 ;

原田佳幸 ;

吉田学史 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103839979B ,2014-06-04

← 1 2 3 4 5 →