集成器件及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202210279740.8

申请日：

2022-03-22

公开(公告)号：

CN114373716B

公开(公告)日：

2022-04-19

发明(设计)人：

陈维邦黄震麟郑志成

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L2707 H01L2364

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-19	公开	公开
2022-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20220322
2022-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

功率集成器件及其制作方法 [P].

郑玉宁 ;

陈建国 ;

张枫 .

中国专利 :CN104810363B ,2015-07-29

[2]

LDMOS集成器件的制作方法 [P].

许超奇 ;

陈淑娴 ;

马春霞 ;

张仪 ;

徐鹏龙 ;

林峰 ;

曹瑞彬 .

中国专利 :CN116230639B ,2025-09-23

[3]

集成器件的制作方法 [P].

彭翔 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 ;

朱骏 .

中国专利 :CN120603317A ,2025-09-05

[4]

GaN基集成器件及其制作方法 [P].

康玄武 ;

李鹏飞 ;

刘新宇 ;

郑英奎 .

中国专利 :CN111044575A ,2020-04-21

[5]

半导体集成器件及其制作方法 [P].

王文博 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN103531453B ,2014-01-22

[6]

光子集成器件及其制作方法 [P].

张子旸 ;

陈红梅 ;

黄源清 ;

刘清路 .

中国专利 :CN108242452B ,2018-07-03

[7]

半导体集成器件及其制作方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103390557A ,2013-11-13

[8]

半导体集成器件及其制作方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103390583A ,2013-11-13

[9]

多晶集成器件及其制作方法、显示面板 [P].

周秀衡 ;

马非凡 ;

赵永周 ;

戴广超 ;

徐良玉 .

中国专利 :CN119546016A ,2025-02-28

[10]

集成器件、电子设备及集成器件的制作方法 [P].

丁凯文 ;

朱恩成 ;

周汪洋 ;

胡洪 ;

陈磊 ;

张强 ;

王栋杰 .

中国专利 :CN115394776A ,2022-11-25

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