离子注入装置以及得到不均匀的离子注入能量的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610128503.2

申请日：

2006-06-09

公开(公告)号：

CN100576415C

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

卢俓奉秦丞佑李民镛郑镛洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01J37317

IPC分类号：

H01L21265 H01L21425 C30B3122

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

马高平;杨梧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101737038991 IPC(主分类):H01J 37/317 专利号:ZL2006101285032 申请日:20060609 授权公告日:20091230 终止日期:20160609
2007-10-31	公开	公开
2009-12-30	授权	授权
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

离子注入方法以及离子注入装置 [P].

黑濑猛 ;

井门德安 ;

狩谷宏行 .

中国专利 :CN105023822B ,2015-11-04

[2]

离子注入装置以及离子注入方法 [P].

石桥和久 ;

宫本恭宽 .

日本专利 :CN120380569A ,2025-07-25

[3]

离子注入方法以及离子注入装置 [P].

佐佐木玄 .

中国专利 :CN108281341B ,2018-07-13

[4]

离子注入方法以及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

香川唯信 ;

弓山敏男 ;

舩井晃 ;

黑田隆之 .

中国专利 :CN103681265A ,2014-03-26

[5]

离子注入方法以及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

越智昭浩 .

中国专利 :CN103545161B ,2014-01-29

[6]

离子注入装置以及离子注入方法 [P].

平井裕也 ;

赵维江 ;

大村俊辅 ;

中西昭仁 ;

佐藤琢己 .

日本专利 :CN119069327A ,2024-12-03

[7]

离子注入装置、离子注入方法 [P].

辻康之 .

中国专利 :CN101983413B ,2011-03-02

[8]

离子注入装置以及离子注入装置的控制方法 [P].

大浦正英 ;

今井大辅 ;

二宫史郎 .

中国专利 :CN104810231B ,2015-07-29

[9]

离子注入装置以及离子注入装置的清洗方法 [P].

永井孝幸 ;

佐藤正辉 .

中国专利 :CN104064426B ,2014-09-24

[10]

离子注入均匀性调整装置以及离子注入装置 [P].

陈策 .

中国专利 :CN204167254U ,2015-02-18

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