半导体衬底的等离子体处理装置用反应室容器

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN200830139572.3

申请日：

2008-07-09

公开(公告)号：

CN301090812D

公开(公告)日：

2009-12-23

发明(设计)人：

坂田雅和

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

1599

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

苏娟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-03	专利权的终止	专利权有效期届满主分类号:15-99 申请日:20080709 授权公告日:20091223
2009-12-23	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体处理装置以及半导体衬底的等离子体处理方法 [P].

上田博一 ;

西塚哲也 ;

野沢俊久 ;

松冈孝明 .

中国专利 :CN101861641B ,2010-10-13

[2]

半导体处理用的立式等离子体处理装置 [P].

松浦广行 ;

高桥俊树 ;

佐藤润 ;

相川胜芳 ;

石井胜利 .

中国专利 :CN101042992B ,2007-09-26

[3]

半导体衬底的密度可变等离子体处理 [P].

凯文·詹宁斯 ;

穆罕默德·萨布里 ;

爱德华·奥古斯提尼亚克 ;

苏尼尔·卡普尔 ;

道格拉斯·凯尔 .

中国专利 :CN103069550A ,2013-04-24

[4]

等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置 [P].

北川淳一 .

中国专利 :CN100429753C ,2006-03-15

[5]

等离子体处理装置和等离子体处理用反应容器的构造 [P].

吉村俊秋 ;

箕轮裕之 ;

石龙基 .

中国专利 :CN109312461A ,2019-02-05

[6]

等离子体处理装置及等离子处理用反应容器的结构 [P].

吉村俊秋 ;

箕轮裕之 ;

石龙基 .

中国专利 :CN109156074B ,2019-01-04

[7]

等离子体处理装置、生成等离子体反应容器的制造方法及等离子体处理方法 [P].

柴田哲司 ;

山崎圭一 ;

田口典幸 ;

泽田康志 .

中国专利 :CN1323751C ,2005-11-23

[8]

立式等离子体处理装置和半导体处理方法 [P].

高桥俊树 ;

福岛讲平 ;

织户康一 ;

佐藤润 .

中国专利 :CN101051606A ,2007-10-10

[9]

半导体处理用的基板保持结构和等离子体处理装置 [P].

池田太郎 ;

田中澄 ;

山本薰 .

中国专利 :CN1759473A ,2006-04-12

[10]

半导体装置的制造方法及等离子体处理装置 [P].

上马俊之 ;

渡邉大辅 ;

林俊宏 ;

目黒佑一 .

日本专利 :CN117810075A ,2024-04-02

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