BiCMOS集成电路制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510116496.3

申请日：

2015-03-17

公开(公告)号：

CN106033743B

公开(公告)日：

2016-10-19

发明(设计)人：

潘光燃文燕高振杰马万里石金成蔡新春

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L21782

IPC分类号：

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

张莲莲;黄健

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/782 登记生效日:20220718 变更事项:专利权人变更前权利人:北大方正集团有限公司变更后权利人:深圳方正微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园变更事项:专利权人变更前权利人:深圳方正微电子有限公司
2019-04-02	授权	授权
2016-10-19	公开	公开
2016-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687382663 IPC(主分类):H01L 21/782 专利申请号:2015101164963 申请日:20150317

共 50 条

[1]

BiCMOS集成电路的制造方法 [P].

潘光燃 ;

文燕 ;

高振杰 ;

王焜 ;

石金成 ;

马万里 .

中国专利 :CN105990254A ,2016-10-05

[2]

集成电路制作方法 [P].

杨立平 ;

陈碧成 ;

康汉彰 ;

颜仁鸿 .

中国专利 :CN101609811B ,2009-12-23

[3]

集成电路制作方法以及集成电路装置 [P].

黄腾庆 .

中国专利 :CN115513134A ,2022-12-23

[4]

集成电路及其制作方法 [P].

郑兆陞 .

中国专利 :CN107591402A ,2018-01-16

[5]

集成电路及其制作方法 [P].

王冠程 ;

吴振诚 ;

蔡方文 ;

罗义兴 ;

陈奕伊 ;

包天一 ;

郑双铭 .

中国专利 :CN101188222A ,2008-05-28

[6]

集成电路的制作方法 [P].

林志昌 ;

吴伟豪 ;

余佳霓 ;

王志豪 ;

江国诚 .

中国专利 :CN110943042A ,2020-03-31

[7]

集成电路的制作方法 [P].

李海艇 ;

黄河 ;

刘煊杰 .

中国专利 :CN103187351B ,2013-07-03

[8]

集成电路的制作方法 [P].

萧志民 ;

赖建文 ;

刘如淦 ;

赖志明 ;

苏伟硕 ;

张育祯 .

中国专利 :CN112447528A ,2021-03-05

[9]

集成电路及其制作方法 [P].

刘重希 ;

余振华 .

中国专利 :CN102074507B ,2011-05-25

[10]

射频开关集成电路的制作方法 [P].

蔡垚 ;

蒙飞 ;

谭艳琼 .

中国专利 :CN118039646A ,2024-05-14

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