多通道发射器阵列的多层金属化

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专利类型
发明
申请号
CN202110447642.6
申请日
2021-04-25
公开(公告)号
CN113594853A
公开(公告)日
2021-11-02
发明(设计)人
A.V.巴夫 M.G.彼得斯 E.R.赫格布洛姆
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
H01S5183
IPC分类号
H01S542
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
陈茜
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
多层金属化膜 [P]. 
R·马佐拉 ;
T·卡普托 .
中国专利 :CN105764938A ,2016-07-13
[2]
陶瓷衬底上的多层金属化 [P]. 
S·阿德勒 ;
R·迪尔施 ;
A·蒂姆 .
中国专利 :CN105074913B ,2015-11-18
[3]
芯片背面多层金属化结构 [P]. 
王新潮 ;
冯东明 ;
叶新民 ;
王文源 ;
江浩 .
中国专利 :CN201638807U ,2010-11-17
[4]
包括多层金属化的功率半导体器件 [P]. 
托马斯·埃德加·哈林顿三世 ;
布赖斯·麦克弗森 ;
斯科特·艾伦 .
美国专利 :CN120548611A ,2025-08-26
[5]
具有应力减少夹层的多层金属化 [P]. 
J.费尔斯特 ;
M.施内甘斯 .
中国专利 :CN102903688A ,2013-01-30
[6]
多通道发射器 [P]. 
陈聪明 .
中国专利 :CN118118041A ,2024-05-31
[7]
多通道发射器 [P]. 
林凡异 ;
刘家齐 .
中国专利 :CN115603819A ,2023-01-13
[8]
多层金属化纸基包装材料 [P]. 
F·莫拉 ;
M·R·达拉 .
:CN120225569A ,2025-06-27
[9]
包括多层金属化层的半导体器件 [P]. 
伊沃·约翰内斯·梅蒂尔迪斯·玛丽亚·拉伊 .
中国专利 :CN1024066C ,1990-07-18
[10]
多层金属化纸基包装材料 [P]. 
F·莫拉 ;
M·R·达拉 ;
N·加莱弗 .
:CN120225570A ,2025-06-27