薄膜半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810000259.0

申请日：

2008-01-30

公开(公告)号：

CN100594586C

公开(公告)日：

2008-08-06

发明(设计)人：

国井正文

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L213105 H01L21336

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20080130 授权公告日:20100317 终止日期:20190130
2008-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-08-06	公开	公开
2012-12-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101489366725 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2008100002590 变更事项:专利权人变更前权利人:索尼株式会社变更后权利人:株式会社日本显示器西变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20121123
2010-03-17	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜半导体装置和制造薄膜半导体装置的方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101038938A ,2007-09-19

[2]

薄膜半导体装置、显示装置及薄膜半导体装置的制造方法 [P].

森田泰彰 ;

盐谷朋弘 ;

久保田绅治 ;

安部薰 .

中国专利 :CN101154669A ,2008-04-02

[3]

薄膜半导体器件及薄膜半导体器件的制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103038887A ,2013-04-10

[4]

薄膜半导体装置以及薄膜半导体装置的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103189970B ,2013-07-03

[5]

薄膜半导体基板、发光面板以及薄膜半导体基板的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

森田清之 .

中国专利 :CN104350533A ,2015-02-11

[6]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103189990A ,2013-07-03

[7]

薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101150057B ,2008-03-26

[8]

薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体阵列基板的制造方法、结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置 [P].

尾田智彦 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103003928A ,2013-03-27

[9]

显示装置用薄膜半导体装置及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103109373B ,2013-05-15

[10]

薄膜半导体装置的制作方法及薄膜半导体装置 [P].

野本和正 ;

平井畅一 ;

安田亮一 ;

八木岩 ;

三成刚生 ;

塚越一仁 ;

青柳克信 .

中国专利 :CN101595568A ,2009-12-02

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