薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710154784.3

申请日：

2007-09-19

公开(公告)号：

CN101150057B

公开(公告)日：

2008-03-26

发明(设计)人：

町田晓夫藤野敏夫河野正洋

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

H01L2122 H01L21336 H01L29786 H01L2936

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云;马高平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-26	公开	公开
2008-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-11-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588052138 IPC(主分类):H01L 21/268 专利号:ZL2007101547843 申请日:20070919 授权公告日:20100825 终止日期:20130919
2010-08-25	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜半导体装置和制造薄膜半导体装置的方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101038938A ,2007-09-19

[2]

薄膜半导体装置以及薄膜半导体装置的制造方法 [P].

钟之江有宣 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN103189970B ,2013-07-03

[3]

薄膜半导体装置、显示装置及薄膜半导体装置的制造方法 [P].

森田泰彰 ;

盐谷朋弘 ;

久保田绅治 ;

安部薰 .

中国专利 :CN101154669A ,2008-04-02

[4]

薄膜半导体装置的制造方法 [P].

国井正文 .

中国专利 :CN100594586C ,2008-08-06

[5]

形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置 [P].

梅津畅彦 ;

稻垣敬夫 .

中国专利 :CN101800168B ,2010-08-11

[6]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN103274608A ,2013-09-04

[7]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN101679036A ,2010-03-24

[8]

制造半导体薄膜的装置和方法 [P].

谭华强 ;

黄明策 ;

赵婷婷 ;

李景舒 .

中国专利 :CN114686849A ,2022-07-01

[9]

半导体薄膜制造方法、半导体薄膜制造装置、基座和基座保持器 [P].

盐见弘 ;

千田裕彦 ;

伊藤里美 ;

藤川一洋 ;

岛田茂树 ;

玄番润 ;

寺尾岳见 ;

古庄胜 .

中国专利 :CN102668033A ,2012-09-12

[10]

有机半导体薄膜的形成方法及薄膜半导体装置的制造方法 [P].

野元章裕 .

中国专利 :CN101640252B ,2010-02-03

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