半导体薄膜制造方法、半导体薄膜制造装置、基座和基座保持器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180005073.4

申请日：

2011-02-25

公开(公告)号：

CN102668033A

公开(公告)日：

2012-09-12

发明(设计)人：

盐见弘千田裕彦伊藤里美藤川一洋岛田茂树玄番润寺尾岳见古庄胜

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C16455 C23C16458

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王伟;安翔

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714728265 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2011800050734 申请公布日:20120912
2012-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101343112534 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2011800050734 申请日:20110225
2012-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜半导体装置和制造薄膜半导体装置的方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101038938A ,2007-09-19

[2]

薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法 [P].

町田晓夫 ;

藤野敏夫 ;

河野正洋 .

中国专利 :CN101150057B ,2008-03-26

[3]

半导体薄膜制造机台及半导体薄膜制备方法 [P].

肖恩才 ;

魏晓平 .

中国专利 :CN120683455A ,2025-09-23

[4]

半导体薄膜、薄膜晶体管、其制造方法以及半导体薄膜的制造装置 [P].

竹口彻 ;

由良信介 .

中国专利 :CN101136429A ,2008-03-05

[5]

薄膜半导体衬底及制造方法、薄膜半导体器件及制造方法 [P].

平松雅人 ;

木村嘉伸 ;

小川裕之 ;

十文字正之 ;

松村正清 .

中国专利 :CN100463224C ,2005-02-09

[6]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

[7]

制造半导体薄膜的装置和方法 [P].

谭华强 ;

黄明策 ;

赵婷婷 ;

李景舒 .

中国专利 :CN114686849A ,2022-07-01

[8]

薄膜半导体器件和薄膜半导体器件的制造方法 [P].

鬼冢达也 .

中国专利 :CN100378514C ,2005-02-09

[9]

基座和包括所述基座的半导体制造装置 [P].

孙孝根 .

中国专利 :CN101317256A ,2008-12-03

[10]

形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法 [P].

大江贵裕 ;

君岛美树 .

中国专利 :CN101903993B ,2010-12-01

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