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半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器
被引：0
申请号：
CN202210577529.4
申请日：
2022-05-25
公开(公告)号：
CN115000294A
公开(公告)日：
2022-09-02
发明(设计)人：
刘晓阳
王晓光
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L4312
IPC分类号：
H01L4308
H01L4302
H01L2722
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
王欢;黄健
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/12 申请日:20220525 |
| 2022-09-02 | 公开 | 公开 |