半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统

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申请号
CN202210470625.9
申请日
2022-04-28
公开(公告)号
CN114883183A
公开(公告)日
2022-08-09
发明(设计)人
潘红星 石艳伟
申请人
申请人地址
430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L29423
代理机构
深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570
代理人
赵伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P]. 
李兆松 ;
李思晢 ;
高晶 ;
毛晓明 .
中国专利 :CN115020418A ,2022-09-06
[2]
半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P]. 
李兆松 ;
李思晢 ;
毛晓明 ;
高晶 .
中国专利 :CN115020322B ,2025-12-16
[3]
半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P]. 
李兆松 ;
李思晢 ;
毛晓明 ;
高晶 .
中国专利 :CN115020322A ,2022-09-06
[4]
半导体结构、半导体结构制备方法、存储器及存储系统 [P]. 
刘子琛 ;
刘威 ;
陈亮 ;
刘雅琴 ;
王言虹 .
中国专利 :CN119451088A ,2025-02-14
[5]
半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器及存储系统 [P]. 
张浩 .
中国专利 :CN119451087A ,2025-02-14
[6]
半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统 [P]. 
卢峰 ;
霍宗亮 ;
周文斌 ;
杨子晋 ;
魏健蓝 .
中国专利 :CN114725204A ,2022-07-08
[7]
半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器 [P]. 
刘晓阳 ;
王晓光 .
中国专利 :CN115000294A ,2022-09-02
[8]
半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器 [P]. 
于业笑 ;
刘忠明 .
中国专利 :CN117476451A ,2024-01-30
[9]
半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器 [P]. 
刘晓阳 ;
王晓光 .
中国专利 :CN115000293A ,2022-09-02
[10]
半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统 [P]. 
李兆松 ;
霍宗亮 ;
李思晢 ;
高晶 .
中国专利 :CN121174502A ,2025-12-19