半导体结构、半导体结构制备方法、存储器及存储系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310956385.8

申请日：

2023-07-31

公开(公告)号：

CN119451088A

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

刘子琛刘威陈亮刘雅琴王言虹

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

G11C5/02

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

孟霞

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	公开	公开
2025-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230731

共 50 条

[1]

半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器及存储系统 [P].

张浩 .

中国专利 :CN119451087A ,2025-02-14

[2]

半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P].

潘红星 ;

石艳伟 .

中国专利 :CN114883183A ,2022-08-09

[3]

半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P].

李兆松 ;

李思晢 ;

高晶 ;

毛晓明 .

中国专利 :CN115020418A ,2022-09-06

[4]

半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P].

李兆松 ;

李思晢 ;

毛晓明 ;

高晶 .

中国专利 :CN115020322B ,2025-12-16

[5]

半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P].

李兆松 ;

李思晢 ;

毛晓明 ;

高晶 .

中国专利 :CN115020322A ,2022-09-06

[6]

半导体结构、半导体器件及存储器系统 [P].

孙超 ;

江宁 ;

刘威 .

中国专利 :CN119342806A ,2025-01-21

[7]

半导体结构的制作方法、半导体结构、存储器及存储系统 [P].

严孟 ;

许健 ;

周成宝 .

中国专利 :CN118039556A ,2024-05-14

[8]

半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统 [P].

李兆松 ;

霍宗亮 ;

李思晢 ;

高晶 .

中国专利 :CN121174502A ,2025-12-19

[9]

半导体结构、存储系统及半导体结构的制备方法 [P].

徐前兵 ;

刘沙沙 ;

李思晢 ;

毛晓明 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119342832A ,2025-01-21

[10]

半导体结构、存储系统及半导体结构的制备方法 [P].

刘雅琴 ;

陈亮 ;

王美 .

中国专利 :CN119697995A ,2025-03-25

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