半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210608682.9

申请日：

2022-05-31

公开(公告)号：

CN115020322B

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

李兆松李思晢毛晓明高晶

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L23/544 H10D62/10 H10B41/35 H10B41/20 H10B43/35 H10B43/20

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

熊恒定

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P].

李兆松 ;

李思晢 ;

毛晓明 ;

高晶 .

中国专利 :CN115020322A ,2022-09-06

[2]

半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P].

潘红星 ;

石艳伟 .

中国专利 :CN114883183A ,2022-08-09

[3]

半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P].

李兆松 ;

李思晢 ;

高晶 ;

毛晓明 .

中国专利 :CN115020418A ,2022-09-06

[4]

半导体结构、半导体结构制备方法、存储器及存储系统 [P].

刘子琛 ;

刘威 ;

陈亮 ;

刘雅琴 ;

王言虹 .

中国专利 :CN119451088A ,2025-02-14

[5]

半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器及存储系统 [P].

张浩 .

中国专利 :CN119451087A ,2025-02-14

[6]

半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统 [P].

李兆松 ;

霍宗亮 ;

李思晢 ;

高晶 .

中国专利 :CN121174502A ,2025-12-19

[7]

半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统 [P].

李兆松 ;

霍宗亮 ;

李思晢 ;

高晶 .

中国专利 :CN121174516A ,2025-12-19

[8]

半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统 [P].

苗利娜 ;

伍术 ;

肖亮 ;

李倩 .

中国专利 :CN114883334A ,2022-08-09

[9]

半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统 [P].

卢峰 ;

霍宗亮 ;

周文斌 ;

杨子晋 ;

魏健蓝 .

中国专利 :CN114725204A ,2022-07-08

[10]

半导体结构的制作方法、半导体结构、存储器及存储系统 [P].

严孟 ;

许健 ;

周成宝 .

中国专利 :CN118039556A ,2024-05-14

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