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半导体结构、存储器和半导体结构的制备方法

被引：0
申请号：
CN202210454244.1
申请日：
2022-04-27
公开(公告)号：
CN114725111A
公开(公告)日：
2022-07-08
发明(设计)人：
丁丽
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L27112
IPC分类号：
H01L218246 G11C1716
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
王欢;臧建明
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-26 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/112 申请日:20220427
2022-07-08 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器 [P]. 
于业笑 ;
刘忠明 .
中国专利 :CN117476451A ,2024-01-30
[2]
半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器 [P]. 
曾以志 .
中国专利 :CN114758990A ,2022-07-15
[3]
半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器 [P]. 
刘晓阳 ;
王晓光 .
中国专利 :CN115000294A ,2022-09-02
[4]
半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器 [P]. 
姜立维 .
中国专利 :CN117998836A ,2024-05-07
[5]
半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器 [P]. 
刘晓阳 ;
王晓光 .
中国专利 :CN115000293A ,2022-09-02
[6]
半导体结构的制备方法及半导体结构、存储器 [P]. 
张魁 .
中国专利 :CN116092937B ,2025-11-04
[7]
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN117337030A ,2024-01-02
[8]
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器 [P]. 
王晓玲 ;
洪海涵 ;
张民慧 .
中国专利 :CN115643753A ,2023-01-24
[9]
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器 [P]. 
苏星松 ;
白卫平 ;
肖德元 .
中国专利 :CN114695271A ,2022-07-01
[10]
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器 [P]. 
宋影 ;
崔兆培 .
中国专利 :CN117939873A ,2024-04-26
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