半导体结构、存储器和半导体结构的制备方法

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申请号
CN202210454244.1
申请日
2022-04-27
公开(公告)号
CN114725111A
公开(公告)日
2022-07-08
发明(设计)人
丁丽
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L27112
IPC分类号
H01L218246 G11C1716
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
王欢;臧建明
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
半导体结构、半导体结构的制备方法与存储器 [P]. 
曹新满 .
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半导体结构的制备方法、半导体结构及存储器 [P]. 
胡建城 ;
谢明宏 .
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[23]
半导体结构、半导体结构的制造方法和存储器 [P]. 
章恒嘉 .
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[24]
一种半导体结构、半导体结构的制备方法和半导体存储器 [P]. 
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半导体结构、半导体结构制备方法、存储器及存储系统 [P]. 
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刘威 ;
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[27]
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[28]
半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P]. 
李兆松 ;
李思晢 ;
毛晓明 ;
高晶 .
中国专利 :CN115020322B ,2025-12-16
[29]
半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统 [P]. 
李兆松 ;
李思晢 ;
毛晓明 ;
高晶 .
中国专利 :CN115020322A ,2022-09-06
[30]
半导体结构的制备方法、半导体结构以及半导体存储器 [P]. 
梅晓波 .
中国专利 :CN115701756B ,2025-09-26