二极管及形成二极管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980122693.9

申请日：

2009-05-21

公开(公告)号：

CN102067321A

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

古尔特杰·S·桑胡钱德拉·穆利

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

宋献涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088110250 IPC(主分类):H01L 29/861 专利申请号:2009801226939 申请日:20090521
2011-05-18	公开	公开
2013-04-24	授权	授权

共 50 条

[1]

二极管及制造二极管的方法 [P].

兼松成 ;

柳田将志 .

中国专利 :CN103681879B ,2014-03-26

[2]

变容二极管及变容二极管系统 [P].

格哈德·卡门 .

中国专利 :CN104103425B ,2014-10-15

[3]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336090A ,2018-07-27

[4]

肖特基二极管及肖特基二极管阵列 [P].

赵宇丹 ;

肖小阳 ;

王营城 ;

金元浩 ;

张天夫 ;

李群庆 .

中国专利 :CN108336149B ,2018-07-27

[5]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252A ,2022-07-05

[6]

肖特基二极管及肖特基二极管的制备方法 [P].

王国峰 ;

李京兵 ;

石晓宇 .

中国专利 :CN114709252B ,2025-09-19

[7]

二极管结构和二极管 [P].

F·拉努瓦 .

中国专利 :CN210743950U ,2020-06-12

[8]

雪崩二极管和二极管 [P].

L·斯塔克 .

中国专利 :CN209169161U ,2019-07-26

[9]

二极管装置及形成二极管装置的方法 [P].

林启荣 ;

郭克文 ;

S·罗伊 .

中国专利 :CN114361284A ,2022-04-15

[10]

二极管装置及形成二极管装置的方法 [P].

林启荣 ;

郭克文 ;

S·罗伊 .

:CN114361284B ,2025-01-07

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