蚀刻方法及使用蚀刻方法的电路装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410057581.9

申请日：

2004-08-20

公开(公告)号：

CN1312533C

公开(公告)日：

2005-03-09

发明(设计)人：

森真也

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮;杨梧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101528387260 IPC(主分类):G03F 7/20 专利号:ZL2004100575819 申请日:20040820 授权公告日:20070425 终止日期:20120820
2007-04-25	授权	授权
2005-03-09	公开	公开
2005-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

蚀刻方法及使用该蚀刻方法的PCB制造方法 [P].

李珍旭 ;

崔昌焕 ;

李东焕 ;

李宇镇 .

中国专利 :CN102115888B ,2011-07-06

[2]

蚀刻液及使用其的蚀刻方法 [P].

中田卓人 ;

中川义清 .

中国专利 :CN103649271A ,2014-03-19

[3]

蚀刻装置、蚀刻方法、基板的制造方法及基板 [P].

富永龙 ;

佐藤启史 ;

似内佑辅 ;

深泽宁司 ;

城山厚 ;

中谷嘉孝 ;

若林沙枝 .

中国专利 :CN106233433B ,2016-12-14

[4]

蚀刻液、该蚀刻液的制造方法和使用该蚀刻液的蚀刻方法 [P].

河野良 ;

加藤胜 .

中国专利 :CN103132078A ,2013-06-05

[5]

蚀刻方法、半导体设备的制造方法、蚀刻装置及蚀刻气体 [P].

福井由季 ;

大森启之 ;

菊池亚纪应 .

日本专利 :CN119318001A ,2025-01-14

[6]

使用蚀刻剂的蚀刻方法 [P].

石田辉和 ;

出口友香里 ;

佐藤未菜 .

中国专利 :CN103820783A ,2014-05-28

[7]

蚀刻液的再生方法，蚀刻方法及蚀刻装置 [P].

伊豆田信彦 ;

渡津春留 .

中国专利 :CN101303976A ,2008-11-12

[8]

蚀刻剂及使用它的蚀刻方法 [P].

石田辉和 ;

出口友香里 ;

佐藤未菜 .

中国专利 :CN102560497A ,2012-07-11

[9]

蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

上村哲也 ;

朴起永 ;

室祐継 ;

稲叶正 .

中国专利 :CN104737277B ,2015-06-24

[10]

蚀刻方法及蚀刻处理装置 [P].

武川贵仁 .

中国专利 :CN102129983A ,2011-07-20

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