一种迁移测试池底座结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201920623021.7
申请日
2019-04-30
公开(公告)号
CN210243432U
公开(公告)日
2020-04-03
发明(设计)人
赵晓甫 李小英 刘肖肖 高晓哲 张玉霞 沈忱 端贺
申请人
申请人地址
050091 河北省石家庄市中华南大街537号
IPC主分类号
G01N1300
IPC分类号
代理机构
石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人
王朝
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种迁移测试池密封结构 [P]. 
耿晓红 ;
刘婷婷 ;
蔡立鹏 ;
张明 ;
高晓哲 ;
李璐 ;
韩云皓 .
中国专利 :CN210243430U ,2020-04-03
[2]
一种浓密池底座结构 [P]. 
单旋 ;
朱宇 .
中国专利 :CN220695929U ,2024-04-02
[3]
一种迁移测试池盖板结构 [P]. 
韩贞年 ;
赵晓甫 ;
刘肖肖 ;
雷婧 ;
陈畅 ;
赵慧 ;
侯云 .
中国专利 :CN210243431U ,2020-04-03
[4]
一种电迁移测试结构 [P]. 
王志强 ;
李宁曦 ;
韩坤 .
中国专利 :CN210743940U ,2020-06-12
[5]
一种电迁移测试结构 [P]. 
冯军宏 .
中国专利 :CN205789952U ,2016-12-07
[6]
一种电迁移测试结构 [P]. 
陈芳 .
中国专利 :CN205376473U ,2016-07-06
[7]
一种电迁移测试结构 [P]. 
王佼 ;
宋永梁 .
中国专利 :CN204045580U ,2014-12-24
[8]
一种电迁移测试结构 [P]. 
陈芳 .
中国专利 :CN205376515U ,2016-07-06
[9]
一种隔离磁性式迁移测试池 [P]. 
吕晓飞 ;
李晨曦 ;
张蓓 ;
赵晓甫 ;
刘新星 ;
曹雪涛 ;
魏玮 .
中国专利 :CN210243433U ,2020-04-03
[10]
一种耐离子迁移测试结构 [P]. 
李军 ;
李俊 .
中国专利 :CN216209667U ,2022-04-05