一种晶硅电池刻蚀后反射率检测设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111170743.X

申请日：

2021-10-08

公开(公告)号：

CN113921414A

公开(公告)日：

2022-01-11

发明(设计)人：

张尧羲刘亲张朋飞

申请人：

申请人地址：

221000 江苏省徐州市经济技术开发区高新路29号300MW多晶铸锭、线锯、电池片、组件3号楼1-101

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L2167 H01L21677

代理机构：

苏州创策知识产权代理有限公司 32322

代理人：

韩娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20211008
2022-01-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种晶硅电池刻蚀后反射率检测设备 [P].

张尧羲 ;

刘亲 ;

张朋飞 .

中国专利 :CN113921414B ,2025-02-11

[2]

一种反射率光谱检测设备 [P].

方晨 ;

姚辛励 ;

朱镇峰 ;

蔡宏 ;

毛慧 ;

浦世亮 .

中国专利 :CN117330516A ,2024-01-02

[3]

一种反射率光谱检测设备 [P].

方晨 ;

姚辛励 ;

朱镇峰 ;

蔡宏 ;

毛慧 ;

浦世亮 .

中国专利 :CN117330516B ,2025-02-25

[4]

一种P型面低反射率晶硅电池的制备方法 [P].

王钊 ;

包健 ;

金浩 ;

张昕宇 ;

杨洁 .

中国专利 :CN107293604A ,2017-10-24

[5]

一种珠宝反射率检测设备 [P].

鞠丹 ;

黄甜甜 ;

孙雪莹 ;

张紫云 ;

邓恺茵 .

中国专利 :CN222050008U ,2024-11-22

[6]

一种反射率检测设备及其检测方法 [P].

林虹云 ;

王俐 ;

夏振宇 ;

孙志恒 ;

张小新 .

中国专利 :CN108645794B ,2018-10-12

[7]

检测设备（晶硅电池PE段） [P].

徐琼 .

中国专利 :CN304880383S ,2018-11-06

[8]

用于晶硅电池的低反射率叠层钝化结构的制备方法 [P].

陈庆敏 ;

李丙科 ;

陈加朋 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN117410388A ,2024-01-16

[9]

用于晶硅电池的低反射率叠层钝化结构的制备方法 [P].

陈庆敏 ;

李丙科 ;

陈加朋 ;

卓倩武 .

中国专利 :CN117410388B ,2024-03-19

[10]

一种可对印刷后的晶硅电池检测的晶硅电池印刷装置 [P].

王泉龙 .

中国专利 :CN112937084A ,2021-06-11

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