半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410038338.2

申请日：

2004-05-19

公开(公告)号：

CN100385649C

公开(公告)日：

2005-02-02

发明(设计)人：

菊池卓木本良辅川洼浩三轮孝志井村智香子西田隆文小山宏柴本正训川上胜

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2312

IPC分类号：

H01L2348 H01L2350 H01L2500 H01L2156 H01L2160

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101488322526 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL2004100383382 申请日:20040519 授权公告日:20080430 终止日期:20120519
2005-02-02	公开	公开
2010-11-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101037585134 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL2004100383382 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20100920
2008-04-30	授权	授权
2006-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

菊池卓 ;

木本良辅 ;

川洼浩 ;

三轮孝志 ;

井村智香子 ;

西田隆文 ;

小山宏 ;

柴本正训 ;

川上胜 .

中国专利 :CN101241905A ,2008-08-13

[2]

半导体结构和半导体器件 [P].

庄凌艺 ;

吕开敏 .

中国专利 :CN117636917A ,2024-03-01

[3]

半导体器件以及电力半导体器件 [P].

尾西一明 .

中国专利 :CN102244053B ,2011-11-16

[4]

半导体器件、半导体器件模块及半导体器件模块制造方法 [P].

青木大 .

中国专利 :CN101587885B ,2009-11-25

[5]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[6]

半导体器件、其制造方法以及组合型半导体器件 [P].

大内伸仁 ;

白石靖 ;

河野博 ;

山田悦夫 .

中国专利 :CN1167339A ,1997-12-10

[7]

半导体器件 [P].

西槙介 ;

渡边慎太郎 ;

森昌吾 ;

中川信太郎 ;

铃山竹史 ;

一柳茂治 .

中国专利 :CN101312167A ,2008-11-26

[8]

半导体器件 [P].

谷江尚史 ;

久野奈柄 ;

太田裕之 ;

池田博明 ;

安生一郎 ;

片桐光昭 ;

渡边祐二 .

中国专利 :CN1665027A ,2005-09-07

[9]

半导体器件 [P].

横山隆昭 .

中国专利 :CN100470796C ,2007-02-14

[10]

半导体器件 [P].

古川泰至 ;

藤田裕人 ;

山岸哲人 ;

秋叶敦也 .

中国专利 :CN115621239A ,2023-01-17

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