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制造半导体封装体的方法、裸片和裸片封装体

被引：0
申请号：
CN202210042741.0
申请日：
2022-01-14
公开(公告)号：
CN114765111A
公开(公告)日：
2022-07-19
发明(设计)人：
F·克雷斯 W·莱纳特 M·洛曼 H·W·萨克斯
申请人：
申请人地址：
德国瑙伊比贝尔格市
IPC主分类号：
H01L2156
IPC分类号：
H01L21304 H01L2331
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
周家新
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-19 公开 公开
2022-08-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/56 申请日:20220114
共 50 条
[21]
用于半导体裸片边缘防护和半导体裸片分离的方法 [P]. 
B·P·沃兹 ;
A·M·贝利斯 .
中国专利 :CN113921467A ,2022-01-11
[22]
具有不均匀堆叠裸片的半导体封装 [P]. 
张振辉 ;
吴顺星 ;
A·A·胡德 .
美国专利 :CN121126849A ,2025-12-12
[23]
裸片附接结构、半导体封装体、金属层堆叠体及其形成方法 [P]. 
李五湖 ;
K·贝格内克 ;
盛秀清 .
德国专利 :CN120727687A ,2025-09-30
[24]
裸片到裸片的互连电路中半导体组件、集成电路封装方法 [P]. 
冯杰 ;
夏君 .
中国专利 :CN114446806A ,2022-05-06
[25]
具有源极向下和感测配置的半导体裸片和封装体 [P]. 
R·奥特雷姆巴 ;
J·赫格劳尔 ;
G·诺鲍尔 ;
M·珀尔齐尔 .
中国专利 :CN104282652A ,2015-01-14
[26]
形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法 [P]. 
高荣范 ;
白宗植 .
中国专利 :CN113053813A ,2021-06-29
[27]
形成具有用于堆叠裸片封装的周边轮廓的半导体裸片的方法 [P]. 
高荣范 ;
白宗植 .
美国专利 :CN113053813B ,2025-05-09
[28]
功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P]. 
林维安 ;
P·A·A·卡洛 ;
谢丁顺 ;
张翠薇 ;
S·K·穆鲁甘 ;
沈盈博 ;
陈志文 .
中国专利 :CN112420629A ,2021-02-26
[29]
具有桥接半导体裸片的半导体封装及其形成方法 [P]. 
李揆元 ;
李知相 ;
金敬银 ;
李荣得 .
:CN121237735A ,2025-12-30
[30]
功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法 [P]. 
J·纳拉亚纳萨米 ;
S·阿布德哈米德 ;
庄铭浩 ;
M·R·戈多伊 ;
蓝志民 ;
A·R·穆罕默德 ;
S·K·穆鲁甘 ;
T·施特克 .
中国专利 :CN114420575A ,2022-04-29
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