MOS晶体管的制作方法及半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410077192.6

申请日：

2014-03-04

公开(公告)号：

CN104900522A

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

何永根

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-03	授权	授权
2015-09-09	公开	公开
2015-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628105660 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014100771926 申请日:20140304

共 50 条

[1]

晶体管的制作方法 [P].

史运泽 ;

徐友锋 ;

刘焕新 .

中国专利 :CN102487012A ,2012-06-06

[2]

晶体管的制作方法 [P].

史运泽 ;

徐友锋 ;

刘焕新 .

中国专利 :CN102479722A ,2012-05-30

[3]

晶体管的制作方法 [P].

康芸 ;

李敏 .

中国专利 :CN102479716A ,2012-05-30

[4]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930923A ,2010-12-29

[5]

半导体器件、p型MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 ;

王津洲 .

中国专利 :CN101572250B ,2009-11-04

[6]

MOS晶体管的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN103871968A ,2014-06-18

[7]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930922B ,2010-12-29

[8]

MOS晶体管的制作方法 [P].

王乐 ;

桂林春 ;

祝孔维 ;

赵志勇 .

中国专利 :CN102087981A ,2011-06-08

[9]

MOS晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101930924A ,2010-12-29

[10]

MOS晶体管的制作方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN104821276B ,2015-08-05

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