基片处理方法和热处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711293037.8

申请日：

2017-12-08

公开(公告)号：

CN108183068A

公开(公告)日：

2018-06-19

发明(设计)人：

佐野要平川上真一路榎本正志盐泽崇博吉田圭佑鬼塚智也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-19	公开	公开
2019-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20171208

共 50 条

[1]

基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质 [P].

大塚幸信 .

中国专利 :CN112180695A ,2021-01-05

[2]

基片热处理装置、基片热处理方法和存储介质 [P].

大塚幸信 .

日本专利 :CN112180695B ,2025-08-01

[3]

基片处理装置和基片处理方法 [P].

后藤坚司 .

日本专利 :CN119213533A ,2024-12-27

[4]

基片处理装置、基片处理方法和基片 [P].

小原隆宪 ;

毛利信彦 .

日本专利 :CN118016559A ,2024-05-10

[5]

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 [P].

大塚幸信 ;

高木慎介 ;

久我恭弘 ;

牛丸浩二 ;

藤瀬辽平 .

中国专利 :CN112687575A ,2021-04-20

[6]

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 [P].

百武宏展 .

中国专利 :CN111415883A ,2020-07-14

[7]

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 [P].

百武宏展 .

日本专利 :CN111415883B ,2024-04-02

[8]

基片处理装置、基片处理方法和存储介质 [P].

大塚幸信 ;

高木慎介 ;

久我恭弘 ;

牛丸浩二 ;

藤瀬辽平 .

日本专利 :CN112687575B ,2025-10-03

[9]

基片处理装置和基片处理方法 [P].

日高章一郎 ;

池田朋生 ;

碛本荣一 ;

岩永和也 ;

林圣人 .

日本专利 :CN110783226B ,2024-05-24

[10]

基片处理方法和基片处理装置 [P].

熊谷圭惠 ;

久松亨 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN112802737A ,2021-05-14

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