氧化物层叠体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980063611.1

申请日：

2019-09-26

公开(公告)号：

CN112888808A

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

上冈義弘笘井重和胜又聪久志本真希出来真斗本田善央天野浩

申请人：

申请人地址：

日本东京都千代田区大手町一丁目2番1号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1414 C23C1458 H01L2128 H01L2943

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

鲁炜;杨戬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	公开	公开
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20190926

共 50 条

[1]

氧化物层叠体及其制造方法 [P].

上冈義弘 ;

笘井重和 ;

胜又聪 ;

久志本真希 ;

出来真斗 ;

本田善央 ;

天野浩 .

日本专利 :CN118685736A ,2024-09-24

[2]

金属氧化物膜、金属氧化物层叠体及金属氧化物层叠体的制造方法 [P].

饭塚宗明 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

佐藤享平 ;

平田纯也 .

日本专利 :CN120051436A ,2025-05-27

[3]

碳化硅－氧化物层叠体及其制造方法以及半导体装置 [P].

山下贤哉 ;

北畠真 ;

楠本修 ;

高桥邦方 ;

内田正雄 ;

宫永良子 .

中国专利 :CN1606140A ,2005-04-13

[4]

氧化物成型体及其制造方法 [P].

高桥雅英 ;

井原梨惠 .

中国专利 :CN102834351A ,2012-12-19

[5]

金属氧化物膜、层叠体、金属构件及其制造方法 [P].

大见忠弘 ;

白井泰雪 ;

森永均 ;

河濑康弘 ;

北野真史 ;

水谷文一 ;

石川诚 .

中国专利 :CN101198726A ,2008-06-11

[6]

氧化物介电体及其制造方法、氧化物介电体的前体以及固体电子装置及其制造方法 [P].

下田达也 ;

井上聪 ;

有贺智纪 .

中国专利 :CN107004596A ,2017-08-01

[7]

光学层叠体及其制造方法 [P].

铃木嗣人 .

日本专利 :CN117597463A ,2024-02-23

[8]

金属氧化物－聚合物层叠体和其制造方法 [P].

丹尼尔·波波维奇 ;

峯启太 ;

南方雅之 ;

中村年孝 .

中国专利 :CN104669733A ,2015-06-03

[9]

氧化物及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN107207252B ,2017-09-26

[10]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN110660852A ,2020-01-07

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