氧化物成型体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180017619.8

申请日：

2011-03-25

公开(公告)号：

CN102834351A

公开(公告)日：

2012-12-19

发明(设计)人：

高桥雅英井原梨惠

申请人：

申请人地址：

日本山口县

IPC主分类号：

C01B1332

IPC分类号：

H01L21316

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101391742767 IPC(主分类):C01B 13/32 专利申请号:2011800176198 申请日:20110325
2019-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/316 申请日:20110325 授权公告日:20141029 终止日期:20180325
2012-12-19	公开	公开
2014-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物超导体成型体及其制造方法 [P].

志贺章二 ;

尾崎正则 ;

张荣基 ;

原田中裕 ;

三村正直 .

中国专利 :CN1033336A ,1989-06-07

[2]

氧化物层叠体及其制造方法 [P].

上冈義弘 ;

笘井重和 ;

胜又聪 ;

久志本真希 ;

出来真斗 ;

本田善央 ;

天野浩 .

中国专利 :CN112888808A ,2021-06-01

[3]

氧化物层叠体及其制造方法 [P].

上冈義弘 ;

笘井重和 ;

胜又聪 ;

久志本真希 ;

出来真斗 ;

本田善央 ;

天野浩 .

日本专利 :CN118685736A ,2024-09-24

[4]

氧化物及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN107207252B ,2017-09-26

[5]

金属氧化物薄膜及其制造方法 [P].

福久孝治 ;

中岛章 ;

筱原贤次 ;

渡部俊也 ;

大崎寿 ;

芹川正 .

中国专利 :CN1564876A ,2005-01-12

[6]

氧化物膜及其制造方法、与靶及氧化物烧结体的制造方法 [P].

山添诚司 ;

和田隆博 .

中国专利 :CN102741448B ,2012-10-17

[7]

氧化物烧结体溅射靶及其制造方法 [P].

高桥一寿 ;

日高浩二 ;

川越裕 ;

武末健太郎 ;

和田优 ;

上野充 ;

清田淳也 ;

小林大士 ;

武井应树 .

中国专利 :CN108350564A ,2018-07-31

[8]

含钛的硅氧化物成型体的制造方法以及含钛的硅氧化物成型体 [P].

小泽卓也 ;

大内康久 .

中国专利 :CN111818997A ,2020-10-23

[9]

氧化物膜及其制造方法 [P].

山添诚司 ;

和田隆博 .

中国专利 :CN104204279A ,2014-12-10

[10]

铈－锆复合氧化物及其制造方法 [P].

冈本博 ;

儿玉大志 .

中国专利 :CN101024513A ,2007-08-29

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