氧化物膜及其制造方法、与靶及氧化物烧结体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080062959.8

申请日：

2010-12-28

公开(公告)号：

CN102741448B

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

山添诚司和田隆博

申请人：

申请人地址：

日本京都府京都市

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C04B3500 C23C1424 C23C1434

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

钟守期;苏萌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-17	公开	公开
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101371718717 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2010800629598 申请日:20101228
2014-04-09	授权	授权
2017-02-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101705178032 IPC(主分类):C23C 14/08 专利号:ZL2010800629598 申请日:20101228 授权公告日:20140409 终止日期:20151228

共 50 条

[1]

氧化物膜及其制造方法 [P].

山添诚司 ;

和田隆博 .

中国专利 :CN104204279A ,2014-12-10

[2]

氧化物烧结体和其制造方法、以及氧化物膜 [P].

曾我部健太郎 ;

安东勲雄 ;

小泽诚 .

中国专利 :CN106103381A ,2016-11-09

[3]

氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN102543250A ,2012-07-04

[4]

透明氧化物膜、透明氧化物膜的制造方法、氧化物烧结体和透明树脂基板 [P].

下山田卓矢 ;

桑原正和 ;

仁藤茂生 .

中国专利 :CN111836912A ,2020-10-27

[5]

溅射用氧化物烧结体靶及其制造方法 [P].

长田幸三 ;

大塚洋明 .

中国专利 :CN102016112B ,2011-04-13

[6]

氧化物膜、氧化物膜的制造方法及含氮氧化物溅射靶 [P].

梅本启太 ;

山口刚 ;

白井孝典 .

中国专利 :CN111542643A ,2020-08-14

[7]

金属氧化物膜、金属氧化物层叠体及金属氧化物层叠体的制造方法 [P].

饭塚宗明 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

佐藤享平 ;

平田纯也 .

日本专利 :CN120051436A ,2025-05-27

[8]

制造氧化物膜的方法 [P].

安藤公一 .

中国专利 :CN1236980A ,1999-12-01

[9]

氧化物溅射膜、氧化物溅射膜的制造方法、氧化物烧结体和透明树脂基板 [P].

桑原正和 ;

仁藤茂生 .

中国专利 :CN111670263A ,2020-09-15

[10]

透明氧化物膜及其制造方法 [P].

山口刚 ;

张守斌 ;

近藤佑一 .

中国专利 :CN103380229A ,2013-10-30

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