氧化物烧结体和其制造方法、以及氧化物膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580014165.7

申请日：

2015-01-30

公开(公告)号：

CN106103381A

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

曾我部健太郎安东勲雄小泽诚

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B3500

IPC分类号：

C04B3516 C23C1408 C23C1434

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101690450135 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2015800141657 申请日:20150130
2018-09-21	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C04B 35/00 申请公布日:20161109
2016-11-09	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105481352A ,2016-04-13

[2]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN109437856A ,2019-03-08

[3]

氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105986230A ,2016-10-05

[4]

透明氧化物膜、透明氧化物膜的制造方法、氧化物烧结体和透明树脂基板 [P].

下山田卓矢 ;

桑原正和 ;

仁藤茂生 .

中国专利 :CN111836912A ,2020-10-27

[5]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN107207356B ,2017-09-26

[6]

氧化物烧结体、其制造方法以及氧化物烧结体制造用原料粉末 [P].

生泽正克 ;

矢作政隆 ;

长田幸三 ;

挂野崇 ;

高见英生 .

中国专利 :CN102459122A ,2012-05-16

[7]

氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物薄膜 [P].

奈良淳史 ;

关秀人 .

中国专利 :CN105821377A ,2016-08-03

[8]

氧化物烧结体、使用其的溅射靶及氧化物膜 [P].

秋池良 ;

仓持豪人 ;

玉野公章 .

中国专利 :CN104781211B ,2015-07-15

[9]

氧化物溅射膜、氧化物溅射膜的制造方法、氧化物烧结体和透明树脂基板 [P].

桑原正和 ;

仁藤茂生 .

中国专利 :CN111670263A ,2020-09-15

[10]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN104736497B ,2015-06-24

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