溅射用氧化物烧结体靶及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980115641.9
申请日
2009-06-05
公开(公告)号
CN102016112B
公开(公告)日
2011-04-13
发明(设计)人
长田幸三 大塚洋明
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C23C1434
IPC分类号
C04B3500 C04B35453
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
王海川;穆德骏
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
国省代码
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共 50 条
[1]
氧化物烧结体以及溅射用靶 [P]. 
中山德行 ;
西村英一郎 ;
松村文彦 .
中国专利 :CN108698933A ,2018-10-23
[2]
氧化物烧结体溅射靶及其制造方法 [P]. 
高桥一寿 ;
日高浩二 ;
川越裕 ;
武末健太郎 ;
和田优 ;
上野充 ;
清田淳也 ;
小林大士 ;
武井应树 .
中国专利 :CN108350564A ,2018-07-31
[3]
氧化物烧结体和溅射靶、及其制造方法 [P]. 
田尾幸树 ;
中根靖夫 ;
畠英雄 .
中国专利 :CN109071361B ,2018-12-21
[4]
复合氧化物烧结体、复合氧化物烧结体的制造方法、溅射靶及薄膜的制造方法 [P]. 
仓持豪人 ;
尾身健治 ;
市田正典 ;
饭草仁志 .
中国专利 :CN102089257B ,2011-06-08
[5]
复合氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶材、以及氧化物透明导电膜及其制造方法 [P]. 
仓持豪人 ;
饭草仁志 ;
涩田见哲夫 .
中国专利 :CN103140454A ,2013-06-05
[6]
氧化物膜及其制造方法、与靶及氧化物烧结体的制造方法 [P]. 
山添诚司 ;
和田隆博 .
中国专利 :CN102741448B ,2012-10-17
[7]
氧化物烧结体和溅射靶 [P]. 
白仁田亮 .
中国专利 :CN112262114B ,2021-01-22
[8]
氧化物烧结体及其制造方法以及溅射靶材 [P]. 
深川功児 .
日本专利 :CN117529574A ,2024-02-06
[9]
氧化物烧结体和溅射靶、以及其制造方法 [P]. 
田尾幸树 ;
广濑研太 ;
慈幸范洋 ;
越智元隆 .
中国专利 :CN105246855A ,2016-01-13
[10]
氧化物烧结体及溅射靶、以及其制造方法 [P]. 
武富雄一 ;
田尾幸树 ;
金丸守贺 ;
坂井健二 ;
长谷山秀悦 ;
菊山英志 .
中国专利 :CN104204283A ,2014-12-10