半导体装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201080049931.0
申请日
2010-10-21
公开(公告)号
CN102612741B
公开(公告)日
2012-07-25
发明(设计)人
山崎舜平 小山润 加藤清
申请人
申请人地址
日本神奈川
IPC主分类号
H01L218242
IPC分类号
H01L218247 H01L27108 H01L27115 H01L29786
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
王莉莉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
加藤清 .
中国专利 :CN104022115A ,2014-09-03
[2]
半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
加藤清 .
中国专利 :CN105789204B ,2016-07-20
[3]
半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
加藤清 .
中国专利 :CN102576708A ,2012-07-11
[4]
半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
加藤清 .
中国专利 :CN105070717A ,2015-11-18
[5]
半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
加藤清 .
中国专利 :CN104600074A ,2015-05-06
[6]
半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
加藤清 .
中国专利 :CN102656690B ,2012-09-05
[7]
半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
加藤清 .
中国专利 :CN102668063A ,2012-09-12
[8]
半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
今井馨太郎 .
中国专利 :CN103794612A ,2014-05-14
[9]
半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
小山润 ;
今井馨太郎 .
中国专利 :CN105070715B ,2015-11-18
[10]
半导体材料及半导体装置 [P]. 
国武宽司 ;
长塚修平 .
日本专利 :CN111742408B ,2024-05-28