铜底基的选择性沉积方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00814440.0

申请日：

2000-08-21

公开(公告)号：

CN1240873C

公开(公告)日：

2003-01-15

发明(设计)人：

K·F·文根罗斯

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

C23C2200

IPC分类号：

C23C2248 C23C806 B32B1504

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘元金;杨九昌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-02-08	授权	授权
2020-09-15	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C23C 22/00 申请日:20000821 授权公告日:20060208
2003-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

改进的区域选择性沉积 [P].

S·M·吉尔莫特瓦克 ;

K·卡谢尔 .

:CN120184089A ,2025-06-20

[2]

在铜表面上选择性钴沉积 [P].

勇森河 ;

凯文·莫拉斯 ;

塞歇德里·盖恩济利 ;

华·钟 ;

仕-恩·潘 .

中国专利 :CN102007573B ,2011-04-06

[3]

镀银铜的暴露铜的选择性涂覆 [P].

J·G·米拉莱斯 ;

曹杰 ;

A·Y·肖 ;

C·麦卡德尔 ;

D·费雷尔 .

中国专利 :CN104321464A ,2015-01-28

[4]

印制线路板选择性孔铜去除方法 [P].

吴小龙 ;

吴梅珠 ;

徐杰栋 ;

方庆玲 ;

刘秋华 ;

胡广群 ;

梁少文 ;

陈文录 .

中国专利 :CN102917540A ,2013-02-06

[5]

选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [P].

Y·金 ;

A·V·萨莫伊洛夫 .

中国专利 :CN101483136A ,2009-07-15

[6]

选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [P].

Y·金 ;

A·V·萨莫伊洛夫 .

中国专利 :CN1875461A ,2006-12-06

[7]

用于选择性沉积与选择性蚀刻保护的苄基化合物钝化 [P].

刘凤全 ;

马克·J·萨利 ;

戴维·汤普森 .

美国专利 :CN120153464A ,2025-06-13

[8]

对映选择性的方法 [P].

C·萨特亚纳雷亚娜 ;

B·R·巴布 .

中国专利 :CN101497573B ,2009-08-05

[9]

含过渡金属材料的选择性沉积 [P].

E.费尔姆 ;

J.W.梅斯 ;

S.阿里 .

中国专利 :CN114927418A ,2022-08-19

[10]

有机聚合物材料的选择性沉积和沉积组件 [P].

B·普罗希特 ;

S·阿里 ;

E·E·托伊斯 ;

M·图米恩 ;

C·德泽拉 ;

V·万达伦 ;

A·维亚纳 ;

K·K·卡谢尔 ;

E·J·希罗 ;

Y·C·张 ;

A·钱德拉塞卡兰 .

:CN119673750A ,2025-03-21

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