用于功率半导体模块的接触装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010178837.7
申请日
2010-05-12
公开(公告)号
CN101901792A
公开(公告)日
2010-12-01
发明(设计)人
彼得·莫尔
申请人
申请人地址
德国纽伦堡
IPC主分类号
H01L2348
IPC分类号
H01L2507
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
车文;樊卫民
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
用于功率半导体模块的外部接触元件和功率半导体模块 [P]. 
A·乌勒曼 ;
C·科赫 .
中国专利 :CN115000038A ,2022-09-02
[2]
功率半导体模块装置和用于功率半导体模块装置的外壳 [P]. 
R·诺特尔曼 ;
M·施尼茨 .
中国专利 :CN110931437A ,2020-03-27
[3]
功率半导体模块、功率半导体组件和用于生产功率半导体模块的方法 [P]. 
F·杜加尔 ;
G·帕克 .
:CN116686079B ,2024-08-20
[4]
功率半导体模块或用于该功率半导体模块的控制模块 [P]. 
斯特凡·魏斯 ;
赖纳·波普 .
中国专利 :CN103178022A ,2013-06-26
[5]
可压力接触的功率半导体模块 [P]. 
D·施奈德 ;
D·特吕泽尔 .
中国专利 :CN1561543A ,2005-01-05
[6]
具有接触弹簧的功率半导体模块 [P]. 
R·波普 ;
M·莱德雷尔 .
中国专利 :CN101241887B ,2008-08-13
[7]
压力接触构造的功率半导体模块 [P]. 
R·波普 ;
M·莱德勒 .
中国专利 :CN101064299B ,2007-10-31
[8]
功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P]. 
M·路德维希 .
中国专利 :CN113690192A ,2021-11-23
[9]
功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P]. 
A·阿伦斯 ;
J·赫格尔 ;
M·霍伊 .
中国专利 :CN104517952B ,2015-04-15
[10]
功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P]. 
E·菲尔古特 ;
M·格鲁贝尔 ;
O·霍尔菲尔德 ;
M·莱杜特克 .
中国专利 :CN107871672B ,2018-04-03