一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110188006.2

申请日：

2011-07-06

公开(公告)号：

CN102864436A

公开(公告)日：

2013-01-09

发明(设计)人：

周艺欧衍聪何文红黄岳文郭长春肖斌

申请人：

申请人地址：

410114 湖南省长沙市雨花区万家丽南路2段960号

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

H01L3118 H01L310216

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-09	公开	公开
2015-02-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101711629509 IPC(主分类):C23C 16/34 专利申请号:2011101880062 申请公布日:20130109

共 50 条

[1]

晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法 [P].

刘贤金 ;

周大良 ;

周小荣 .

中国专利 :CN101834225A ,2010-09-15

[2]

沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 [P].

范志东 ;

赵学玲 ;

张小盼 ;

解占壹 ;

王涛 ;

李永超 .

中国专利 :CN102789969B ,2012-11-21

[3]

一种晶体硅太阳能电池减反膜 [P].

张春华 ;

李栋 ;

高文丽 ;

孟祥熙 ;

许涛 .

中国专利 :CN203812887U ,2014-09-03

[4]

一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法 [P].

万青 ;

曾梦麟 ;

佘鹏 ;

张雪平 .

中国专利 :CN102005508A ,2011-04-06

[5]

一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 [P].

侯泽荣 ;

黄仑 ;

卢春晖 ;

王金伟 ;

崔梅兰 .

中国专利 :CN102903764A ,2013-01-30

[6]

一种晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜及其制备方法 [P].

傅强 ;

董道宴 ;

张崇超 ;

刘代军 ;

陈红玉 ;

匡英 ;

汪双 .

中国专利 :CN104332505A ,2015-02-04

[7]

一种背钝化晶硅太阳能电池及其背钝化膜层的制备方法 [P].

贾佳 ;

勾宪芳 ;

周肃 ;

黄青松 ;

黄钧林 ;

张鑫 ;

余静文 .

中国专利 :CN107731935A ,2018-02-23

[8]

一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法 [P].

范志东 ;

王静 ;

张东升 ;

赵学玲 ;

吝占胜 ;

李倩 ;

田世雄 .

中国专利 :CN102800760A ,2012-11-28

[9]

N型TBC晶硅太阳能电池的制造方法 [P].

丰明璋 ;

赵文祥 ;

蔡永梅 ;

杜振星 ;

杨金芳 ;

何保杨 ;

方灵新 ;

何胜 ;

徐伟智 .

中国专利 :CN114744077A ,2022-07-12

[10]

硅太阳能电池双层减反射薄膜及其制备方法 [P].

任向东 ;

王敬蕊 ;

左云翔 .

中国专利 :CN101436616B ,2009-05-20

← 1 2 3 4 5 →