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半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810714756.0
申请日
:
2018-06-29
公开(公告)号
:
CN109216446A
公开(公告)日
:
2019-01-15
发明(设计)人
:
神田良
松浦仁
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L29739
IPC分类号
:
H01L2906
H01L21331
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
李辉
法律状态
:
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-15
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20190115
2019-01-15
公开
公开
共 50 条
[21]
半导体器件及其制造方法
[P].
福井胜一
论文数:
0
引用数:
0
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0
福井胜一
;
森本升
论文数:
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森本升
;
西冈康隆
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西冈康隆
;
泉谷淳子
论文数:
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泉谷淳子
;
石井敦司
论文数:
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石井敦司
.
中国专利
:CN101661900A
,2010-03-03
[22]
半导体器件及其制造方法
[P].
山川真弥
论文数:
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山川真弥
;
馆下八州志
论文数:
0
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0
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馆下八州志
.
中国专利
:CN101641780B
,2010-02-03
[23]
半导体器件及其制造方法
[P].
饭沼俊彦
论文数:
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饭沼俊彦
.
中国专利
:CN1472820A
,2004-02-04
[24]
半导体器件及其制造方法
[P].
町田悟
论文数:
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町田悟
;
石井泰之
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石井泰之
;
工藤敏生
论文数:
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工藤敏生
;
高桥雅人
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高桥雅人
;
铃木征洋
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铃木征洋
.
中国专利
:CN101043037B
,2007-09-26
[25]
半导体器件及其制造方法
[P].
中山知士
论文数:
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中山知士
.
中国专利
:CN107871794A
,2018-04-03
[26]
半导体器件及其制造方法
[P].
川村武志
论文数:
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川村武志
.
中国专利
:CN102939649B
,2013-02-20
[27]
半导体器件及其制造方法
[P].
山田敬
论文数:
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山田敬
;
梶山健
论文数:
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梶山健
.
中国专利
:CN1357924A
,2002-07-10
[28]
半导体器件及其制造方法
[P].
王文生
论文数:
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0
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王文生
.
中国专利
:CN101203953A
,2008-06-18
[29]
半导体器件及其制造方法
[P].
鲸井裕
论文数:
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鲸井裕
.
中国专利
:CN100595924C
,2007-06-13
[30]
半导体器件及其制造方法
[P].
吉田芳规
论文数:
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吉田芳规
;
可知刚
论文数:
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可知刚
.
中国专利
:CN109390387A
,2019-02-26
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