减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的正电荷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510113380.0

申请日：

2005-10-11

公开(公告)号：

CN1949462A

公开(公告)日：

2007-04-18

发明(设计)人：

施惠绅黄宽益

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21266

IPC分类号：

H01L21331 H01L218228 G03F7004

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-04-18	公开	公开

共 50 条

[1]

离子注入工艺中的基片背面注入方法 [P].

朱伟诚 ;

郑刚 ;

施向东 .

中国专利 :CN102087956A ,2011-06-08

[2]

离子注入工艺的监测方法 [P].

周婉利 .

中国专利 :CN118553634A ,2024-08-27

[3]

离子注入工艺的监控方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108109933B ,2018-06-01

[4]

离子注入工艺的监控方法、离子注入系统及可读存储介质 [P].

王成 .

中国专利 :CN121122990A ,2025-12-12

[5]

离子注入工艺的光刻定义方法 [P].

蔡坤 .

中国专利 :CN111599667A ,2020-08-28

[6]

离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法 [P].

国子明 ;

王毅 ;

郭国超 ;

姚雷 ;

郝志 .

中国专利 :CN103839858B ,2014-06-04

[7]

防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法 [P].

周健刚 ;

倪棋梁 ;

龙吟 ;

顾晓芳 .

中国专利 :CN106252215A ,2016-12-21

[8]

离子注入工艺在CCD制作中的应用及CCD制作工艺 [P].

钟玉杰 ;

王晓强 ;

韩沛东 ;

李永芬 .

中国专利 :CN103400752A ,2013-11-20

[9]

改善离子注入工艺中硅片在线颗粒的方法 [P].

邱裕明 .

中国专利 :CN110416072A ,2019-11-05

[10]

监控集成电路制造中离子注入工艺的方法 [P].

桑宁波 ;

贺忻 ;

雷通 .

中国专利 :CN103500718A ,2014-01-08

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