防止浅层离子注入工艺过程中离子析出的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610828340.2

申请日：

2016-09-18

公开(公告)号：

CN106252215A

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

周健刚倪棋梁龙吟顾晓芳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21266

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101697765767 IPC(主分类):H01L 21/266 专利申请号:2016108283402 申请日:20160918
2016-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

离子注入过程中的温度监控方法 [P].

李法涛 ;

阳厚国 .

中国专利 :CN104851819B ,2015-08-19

[2]

离子注入工艺的监控方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108109933B ,2018-06-01

[3]

一种离子注入工艺中防止栅极损坏的方法 [P].

张轲 ;

潘贤俊 ;

车永强 .

中国专利 :CN102376552B ,2012-03-14

[4]

离子注入工艺中的基片背面注入方法 [P].

朱伟诚 ;

郑刚 ;

施向东 .

中国专利 :CN102087956A ,2011-06-08

[5]

多晶硅离子注入工艺 [P].

陈福成 .

中国专利 :CN102044420A ,2011-05-04

[6]

离子注入工艺的光刻定义方法 [P].

蔡坤 .

中国专利 :CN111599667A ,2020-08-28

[7]

离子注入机的工艺能力的监控方法和离子注入方法 [P].

国子明 ;

王毅 ;

郭国超 ;

姚雷 ;

郝志 .

中国专利 :CN103839858B ,2014-06-04

[8]

离子注入工艺的监测方法 [P].

周婉利 .

中国专利 :CN118553634A ,2024-08-27

[9]

离子注入机台的水汽监控方法 [P].

国子明 ;

郭国超 ;

张凌越 ;

姚蕾 .

中国专利 :CN104599996B ,2015-05-06

[10]

离子注入方法 [P].

徐承柏 ;

吴承翰 ;

郑东垣 ;

山本芳裕 ;

G·G·巴克莱 ;

G·珀勒斯 .

中国专利 :CN103915331A ,2014-07-09

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