一种碳化硅功率器件芯片键合方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910282555.2

申请日：

2019-04-10

公开(公告)号：

CN109979828A

公开(公告)日：

2019-07-05

发明(设计)人：

夏国峰尤显平

申请人：

申请人地址：

404020 重庆市万州区天星路666号

IPC主分类号：

H01L2150

IPC分类号：

H01L21603 H01L23488

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-05	公开	公开
2022-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/50 申请日:20190410

共 50 条

[1]

一种碳化硅功率器件芯片键合结构 [P].

夏国峰 ;

尤显平 .

中国专利 :CN209496816U ,2019-10-15

[2]

一种碳化硅功率器件芯片与引线框架键合方法 [P].

揭丽平 ;

孙军 ;

喻双柏 ;

和巍巍 ;

汪之涵 .

中国专利 :CN113257683A ,2021-08-13

[3]

一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN120379318A ,2025-07-25

[4]

一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN120379318B ,2025-09-19

[5]

一种碳化硅功率器件芯片铜化后铜线键合工艺 [P].

袁磊 ;

周灿 ;

邱道权 .

中国专利 :CN119694909A ,2025-03-25

[6]

一种碳化硅功率器件 [P].

袁昊 ;

王炫杰 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

雷邑平 ;

张玉明 .

中国专利 :CN115440794A ,2022-12-06

[7]

一种碳化硅功率器件 [P].

袁昊 ;

王炫杰 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

雷邑平 ;

张玉明 .

中国专利 :CN115440794B ,2025-09-12

[8]

碳化硅功率器件及碳化硅功率器件的制备方法 [P].

魏林程 ;

倪炜江 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN119364809A ,2025-01-24

[9]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[10]

一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件 [P].

桑玲 ;

田亮 ;

夏经华 ;

查祎英 ;

张文婷 ;

田丽欣 ;

安运来 ;

朱涛 ;

牛喜平 ;

罗松威 ;

杨霏 ;

吴军民 .

中国专利 :CN112002648A ,2020-11-27

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