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一种碳化硅功率器件芯片键合结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201920473209.8
申请日
:
2019-04-10
公开(公告)号
:
CN209496816U
公开(公告)日
:
2019-10-15
发明(设计)人
:
夏国峰
尤显平
申请人
:
申请人地址
:
404020 重庆市万州区天星路666号
IPC主分类号
:
H01L2150
IPC分类号
:
H01L21603
H01L23488
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-10-15
授权
授权
2021-03-19
专利权的终止
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/50 申请日:20190410 授权公告日:20191015 终止日期:20200410
共 50 条
[1]
一种碳化硅功率器件芯片键合方法
[P].
夏国峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
夏国峰
;
尤显平
论文数:
0
引用数:
0
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0
尤显平
.
中国专利
:CN109979828A
,2019-07-05
[2]
一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片
[P].
乔凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
乔凯
.
中国专利
:CN120379318A
,2025-07-25
[3]
一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片
[P].
乔凯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳天狼芯半导体有限公司
深圳天狼芯半导体有限公司
乔凯
.
中国专利
:CN120379318B
,2025-09-19
[4]
一种碳化硅功率器件的封装结构
[P].
高博
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江摩珂达半导体有限公司
浙江摩珂达半导体有限公司
高博
;
费晨曦
论文数:
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0
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机构:
浙江摩珂达半导体有限公司
浙江摩珂达半导体有限公司
费晨曦
;
刘文平
论文数:
0
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0
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0
机构:
浙江摩珂达半导体有限公司
浙江摩珂达半导体有限公司
刘文平
;
张志新
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江摩珂达半导体有限公司
浙江摩珂达半导体有限公司
张志新
.
中国专利
:CN223181136U
,2025-08-01
[5]
一种碳化硅功率器件芯片与引线框架键合方法
[P].
揭丽平
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0
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0
揭丽平
;
孙军
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0
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0
孙军
;
喻双柏
论文数:
0
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0
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0
喻双柏
;
和巍巍
论文数:
0
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0
和巍巍
;
汪之涵
论文数:
0
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0
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汪之涵
.
中国专利
:CN113257683A
,2021-08-13
[6]
一种碳化硅功率器件芯片铜化后铜线键合工艺
[P].
袁磊
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机构:
合肥中恒微半导体有限公司
合肥中恒微半导体有限公司
袁磊
;
周灿
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机构:
合肥中恒微半导体有限公司
合肥中恒微半导体有限公司
周灿
;
邱道权
论文数:
0
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0
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0
机构:
合肥中恒微半导体有限公司
合肥中恒微半导体有限公司
邱道权
.
中国专利
:CN119694909A
,2025-03-25
[7]
一种碳化硅功率器件
[P].
袁昊
论文数:
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0
袁昊
;
王炫杰
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0
王炫杰
;
宋庆文
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0
宋庆文
;
汤晓燕
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0
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0
汤晓燕
;
雷邑平
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0
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0
雷邑平
;
张玉明
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0
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0
张玉明
.
中国专利
:CN115440794A
,2022-12-06
[8]
一种碳化硅功率器件
[P].
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引用数:
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机构:
袁昊
;
王炫杰
论文数:
0
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0
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0
机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
王炫杰
;
论文数:
引用数:
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机构:
宋庆文
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
汤晓燕
;
雷邑平
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0
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0
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0
机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
雷邑平
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
张玉明
.
中国专利
:CN115440794B
,2025-09-12
[9]
一种碳化硅功率器件
[P].
郑方伟
论文数:
0
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0
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0
郑方伟
.
中国专利
:CN218160384U
,2022-12-27
[10]
一种碳化硅功率器件连接结构
[P].
张振中
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机构:
杭州中瑞宏芯半导体有限公司
杭州中瑞宏芯半导体有限公司
张振中
;
郝建勇
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机构:
杭州中瑞宏芯半导体有限公司
杭州中瑞宏芯半导体有限公司
郝建勇
;
侯鹏
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0
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机构:
杭州中瑞宏芯半导体有限公司
杭州中瑞宏芯半导体有限公司
侯鹏
.
中国专利
:CN222939920U
,2025-06-03
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