一种碳化硅功率器件芯片键合结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201920473209.8
申请日
2019-04-10
公开(公告)号
CN209496816U
公开(公告)日
2019-10-15
发明(设计)人
夏国峰 尤显平
申请人
申请人地址
404020 重庆市万州区天星路666号
IPC主分类号
H01L2150
IPC分类号
H01L21603 H01L23488
代理机构
代理人
法律状态
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国省代码
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共 50 条
[1]
一种碳化硅功率器件芯片键合方法 [P]. 
夏国峰 ;
尤显平 .
中国专利 :CN109979828A ,2019-07-05
[2]
一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P]. 
乔凯 .
中国专利 :CN120379318A ,2025-07-25
[3]
一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P]. 
乔凯 .
中国专利 :CN120379318B ,2025-09-19
[4]
一种碳化硅功率器件的封装结构 [P]. 
高博 ;
费晨曦 ;
刘文平 ;
张志新 .
中国专利 :CN223181136U ,2025-08-01
[5]
一种碳化硅功率器件芯片与引线框架键合方法 [P]. 
揭丽平 ;
孙军 ;
喻双柏 ;
和巍巍 ;
汪之涵 .
中国专利 :CN113257683A ,2021-08-13
[6]
一种碳化硅功率器件芯片铜化后铜线键合工艺 [P]. 
袁磊 ;
周灿 ;
邱道权 .
中国专利 :CN119694909A ,2025-03-25
[7]
一种碳化硅功率器件 [P]. 
袁昊 ;
王炫杰 ;
宋庆文 ;
汤晓燕 ;
雷邑平 ;
张玉明 .
中国专利 :CN115440794A ,2022-12-06
[8]
一种碳化硅功率器件 [P]. 
袁昊 ;
王炫杰 ;
宋庆文 ;
汤晓燕 ;
雷邑平 ;
张玉明 .
中国专利 :CN115440794B ,2025-09-12
[9]
一种碳化硅功率器件 [P]. 
郑方伟 .
中国专利 :CN218160384U ,2022-12-27
[10]
一种碳化硅功率器件连接结构 [P]. 
张振中 ;
郝建勇 ;
侯鹏 .
中国专利 :CN222939920U ,2025-06-03