一种碳化硅功率器件连接结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422000591.4

申请日：

2024-08-19

公开(公告)号：

CN222939920U

公开(公告)日：

2025-06-03

发明(设计)人：

张振中郝建勇侯鹏

申请人：

杭州中瑞宏芯半导体有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市余杭区五常街道文一西路998号4幢804室

IPC主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/32

代理机构：

北京奥肯律师事务所 11881

代理人：

周桐

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅功率器件 [P].

郑方伟 .

中国专利 :CN218160384U ,2022-12-27

[2]

碳化硅外延终端扩展结构及碳化硅功率器件 [P].

马志勇 ;

廖奇泊 ;

封国立 .

中国专利 :CN221226227U ,2024-06-25

[3]

一种碳化硅功率器件终端结构 [P].

陈道坤 ;

史波 ;

曾丹 ;

敖利波 .

中国专利 :CN210956680U ,2020-07-07

[4]

一种碳化硅功率器件终端结构 [P].

张振中 ;

孙军 ;

郝建勇 ;

刘玮 ;

张旭辉 .

中国专利 :CN222721724U ,2025-04-04

[5]

一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件 [P].

王聪勇 ;

杜伟华 ;

高玉强 ;

李毕庆 ;

江协龙 .

中国专利 :CN223567989U ,2025-11-18

[6]

一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN120379318A ,2025-07-25

[7]

一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN120379318B ,2025-09-19

[8]

一种碳化硅功率器件的封装结构 [P].

徐谦刚 ;

李勇刚 ;

胥小丰 ;

卢红亮 .

中国专利 :CN209572316U ,2019-11-01

[9]

一种碳化硅功率器件的封装结构 [P].

高博 ;

费晨曦 ;

刘文平 ;

张志新 .

中国专利 :CN223181136U ,2025-08-01

[10]

碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192821A ,2020-05-22

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