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一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202422264445.2
申请日：
2024-09-14
公开(公告)号：
CN223567989U
公开(公告)日：
2025-11-18
发明(设计)人：
王聪勇 杜伟华 高玉强 李毕庆 江协龙
申请人：
湖南三安半导体有限责任公司
申请人地址：
410000 湖南省长沙市长沙高新开发区长兴路399号
IPC主分类号：
H10D62/832
IPC分类号：
H01L21/02
代理机构：
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人：
夏声平
法律状态：
授权
国省代码：
河北省 石家庄市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-18 授权 授权
共 50 条
[1]
碳化硅外延终端扩展结构及碳化硅功率器件 [P]. 
马志勇 ;
廖奇泊 ;
封国立 .
中国专利 :CN221226227U ,2024-06-25
[2]
一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法 [P]. 
张红丹 ;
焦倩倩 ;
刘瑞 ;
吴昊 ;
李玲 ;
赛朝阳 ;
吴军民 ;
金锐 ;
汤广福 .
中国专利 :CN111524796A ,2020-08-11
[3]
一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法 [P]. 
张红丹 ;
焦倩倩 ;
刘瑞 ;
吴昊 ;
李玲 ;
赛朝阳 ;
吴军民 ;
金锐 ;
汤广福 .
中国专利 :CN111524796B ,2025-05-02
[4]
碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置 [P]. 
丁昌钊 ;
巩泉雨 ;
区灿林 ;
谢春林 ;
周维 .
中国专利 :CN222861711U ,2025-05-13
[5]
碳化硅外延片及其制备方法和功率器件 [P]. 
王军 ;
周芮 ;
汤文辉 ;
黄雪枫 ;
周维 .
中国专利 :CN120321995A ,2025-07-15
[6]
碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P]. 
连建伟 ;
林志东 .
中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18
[7]
碳化硅外延片及其制备方法和功率器件 [P]. 
王军 ;
周芮 ;
汤文辉 ;
黄雪枫 ;
周维 .
中国专利 :CN120321995B ,2025-09-09
[8]
碳化硅衬底和碳化硅外延衬底 [P]. 
本家翼 ;
冲田恭子 .
中国专利 :CN110651072A ,2020-01-03
[9]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095B ,2025-08-08
[10]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095A ,2025-04-25
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