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碳化硅外延片及其制备方法和功率器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510775672.8
申请日
:
2025-06-11
公开(公告)号
:
CN120321995B
公开(公告)日
:
2025-09-09
发明(设计)人
:
王军
周芮
汤文辉
黄雪枫
周维
申请人
:
比亚迪股份有限公司
比亚迪汽车工业有限公司
申请人地址
:
518118 广东省深圳市坪山区比亚迪路3009号
IPC主分类号
:
H10D62/832
IPC分类号
:
H10D62/00
H10D62/834
H01L21/02
H01L21/3065
C30B25/20
C30B29/36
代理机构
:
北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890
代理人
:
孙鑫
法律状态
:
授权
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-09
授权
授权
2025-08-01
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/832申请日:20250611
2025-07-15
公开
公开
共 50 条
[1]
碳化硅外延片及其制备方法和功率器件
[P].
王军
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
王军
;
周芮
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0
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
周芮
;
汤文辉
论文数:
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
汤文辉
;
黄雪枫
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
黄雪枫
;
周维
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
周维
.
中国专利
:CN120321995A
,2025-07-15
[2]
一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件
[P].
王聪勇
论文数:
0
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王聪勇
;
杜伟华
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0
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
杜伟华
;
高玉强
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0
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
高玉强
;
李毕庆
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0
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0
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
李毕庆
;
江协龙
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0
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0
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
江协龙
.
中国专利
:CN223567989U
,2025-11-18
[3]
碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件
[P].
田新
论文数:
0
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0
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
田新
;
方世琼
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
方世琼
;
张春伟
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0
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
张春伟
;
江宏富
论文数:
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江宏富
;
史振
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
史振
;
林波
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
林波
;
耿庆智
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
耿庆智
.
中国专利
:CN120400988A
,2025-08-01
[4]
碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件
[P].
田新
论文数:
0
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0
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0
机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
田新
;
方世琼
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0
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0
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0
机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
方世琼
;
张春伟
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0
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0
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
张春伟
;
江宏富
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江宏富
;
史振
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
史振
;
林波
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机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
林波
;
耿庆智
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0
机构:
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
耿庆智
.
中国专利
:CN120400988B
,2025-09-30
[5]
碳化硅外延片及其制备方法
[P].
张士良
论文数:
0
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
张士良
;
虞舒宁
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
虞舒宁
;
羊肖玢
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
羊肖玢
;
钟泳生
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机构:
珠海格力电子元器件有限公司
珠海格力电子元器件有限公司
钟泳生
.
中国专利
:CN121046947A
,2025-12-02
[6]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备
[P].
李哲洋
论文数:
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
李哲洋
;
王迦卉
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
王迦卉
;
于乐
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
于乐
;
金锐
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
金锐
.
中国专利
:CN119877095B
,2025-08-08
[7]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备
[P].
李哲洋
论文数:
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
李哲洋
;
王迦卉
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
王迦卉
;
于乐
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
于乐
;
金锐
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机构:
北京怀柔实验室
北京怀柔实验室
金锐
.
中国专利
:CN119877095A
,2025-04-25
[8]
碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件
[P].
马志勇
论文数:
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0
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机构:
北京绿能芯创电子科技有限公司
北京绿能芯创电子科技有限公司
马志勇
;
廖奇泊
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机构:
北京绿能芯创电子科技有限公司
北京绿能芯创电子科技有限公司
廖奇泊
;
封国立
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机构:
北京绿能芯创电子科技有限公司
北京绿能芯创电子科技有限公司
封国立
.
中国专利
:CN117423720A
,2024-01-19
[9]
一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法
[P].
张红丹
论文数:
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张红丹
;
焦倩倩
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焦倩倩
;
刘瑞
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刘瑞
;
吴昊
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吴昊
;
李玲
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李玲
;
赛朝阳
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赛朝阳
;
吴军民
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吴军民
;
金锐
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0
金锐
;
汤广福
论文数:
0
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0
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0
汤广福
.
中国专利
:CN111524796A
,2020-08-11
[10]
碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件
[P].
连建伟
论文数:
0
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0
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0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
连建伟
;
林志东
论文数:
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0
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0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
林志东
.
中国专利
:CN118800798A
,2024-10-18
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