碳化硅外延片及其制备方法和功率器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510775672.8
申请日
2025-06-11
公开(公告)号
CN120321995B
公开(公告)日
2025-09-09
发明(设计)人
王军 周芮 汤文辉 黄雪枫 周维
申请人
比亚迪股份有限公司 比亚迪汽车工业有限公司
申请人地址
518118 广东省深圳市坪山区比亚迪路3009号
IPC主分类号
H10D62/832
IPC分类号
H10D62/00 H10D62/834 H01L21/02 H01L21/3065 C30B25/20 C30B29/36
代理机构
北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890
代理人
孙鑫
法律状态
授权
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
碳化硅外延片及其制备方法和功率器件 [P]. 
王军 ;
周芮 ;
汤文辉 ;
黄雪枫 ;
周维 .
中国专利 :CN120321995A ,2025-07-15
[2]
一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件 [P]. 
王聪勇 ;
杜伟华 ;
高玉强 ;
李毕庆 ;
江协龙 .
中国专利 :CN223567989U ,2025-11-18
[3]
碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P]. 
田新 ;
方世琼 ;
张春伟 ;
江宏富 ;
史振 ;
林波 ;
耿庆智 .
中国专利 :CN120400988A ,2025-08-01
[4]
碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P]. 
田新 ;
方世琼 ;
张春伟 ;
江宏富 ;
史振 ;
林波 ;
耿庆智 .
中国专利 :CN120400988B ,2025-09-30
[5]
碳化硅外延片及其制备方法 [P]. 
张士良 ;
虞舒宁 ;
羊肖玢 ;
钟泳生 .
中国专利 :CN121046947A ,2025-12-02
[6]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095B ,2025-08-08
[7]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095A ,2025-04-25
[8]
碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件 [P]. 
马志勇 ;
廖奇泊 ;
封国立 .
中国专利 :CN117423720A ,2024-01-19
[9]
一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法 [P]. 
张红丹 ;
焦倩倩 ;
刘瑞 ;
吴昊 ;
李玲 ;
赛朝阳 ;
吴军民 ;
金锐 ;
汤广福 .
中国专利 :CN111524796A ,2020-08-11
[10]
碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P]. 
连建伟 ;
林志东 .
中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18