学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

碳化硅外延片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511177932.8
申请日：
2025-08-21
公开(公告)号：
CN121046947A
公开(公告)日：
2025-12-02
发明(设计)人：
张士良 虞舒宁 羊肖玢 钟泳生
申请人：
珠海格力电子元器件有限公司
申请人地址：
519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室（集中办公区）
IPC主分类号：
C30B25/20
IPC分类号：
C30B29/36 C23C16/30 C23C16/40 C23C16/34 C23C16/455
代理机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人：
王露玲
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-19 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/20申请日:20250821
2025-12-02 公开 公开
共 50 条
[1]
碳化硅外延片及其制备方法 [P]. 
郭禹泽 ;
区灿林 ;
周维 .
中国专利 :CN117855025A ,2024-04-09
[2]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095B ,2025-08-08
[3]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095A ,2025-04-25
[4]
碳化硅外延片及其制备方法和功率器件 [P]. 
王军 ;
周芮 ;
汤文辉 ;
黄雪枫 ;
周维 .
中国专利 :CN120321995A ,2025-07-15
[5]
碳化硅外延片及其制备方法和功率器件 [P]. 
王军 ;
周芮 ;
汤文辉 ;
黄雪枫 ;
周维 .
中国专利 :CN120321995B ,2025-09-09
[6]
碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件 [P]. 
曾为 ;
杜伟华 ;
李毕庆 ;
张洁 .
中国专利 :CN117878138A ,2024-04-12
[7]
碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片 [P]. 
张士良 ;
冯尹 ;
张鹏 ;
马万里 ;
钟泳生 .
中国专利 :CN120967508A ,2025-11-18
[8]
碳化硅外延片及其制备方法和应用 [P]. 
谢春林 ;
区灿林 ;
周维 .
中国专利 :CN118073397A ,2024-05-24
[9]
碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P]. 
田新 ;
方世琼 ;
张春伟 ;
江宏富 ;
史振 ;
林波 ;
耿庆智 .
中国专利 :CN120400988A ,2025-08-01
[10]
碳化硅外延片及其制备方法和半导体器件 [P]. 
田新 ;
方世琼 ;
张春伟 ;
江宏富 ;
史振 ;
林波 ;
耿庆智 .
中国专利 :CN120400988B ,2025-09-30
12345