一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010238731.5

申请日：

2020-03-30

公开(公告)号：

CN111524796B

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

张红丹焦倩倩刘瑞吴昊李玲赛朝阳吴军民金锐汤广福

申请人：

全球能源互联网研究院有限公司国家电网有限公司国网北京市电力公司

申请人地址：

102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号

IPC主分类号：

H01L21/04

IPC分类号：

H01L21/265 H01L21/311

代理机构：

北京安博达知识产权代理有限公司 11271

代理人：

徐国文

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法 [P].

张红丹 ;

焦倩倩 ;

刘瑞 ;

吴昊 ;

李玲 ;

赛朝阳 ;

吴军民 ;

金锐 ;

汤广福 .

中国专利 :CN111524796A ,2020-08-11

[2]

一种碳化硅外延片和碳化硅功率器件 [P].

王聪勇 ;

杜伟华 ;

高玉强 ;

李毕庆 ;

江协龙 .

中国专利 :CN223567989U ,2025-11-18

[3]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[4]

碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件 [P].

马志勇 ;

廖奇泊 ;

封国立 .

中国专利 :CN117423720A ,2024-01-19

[5]

碳化硅外延片及其制备方法和功率器件 [P].

王军 ;

周芮 ;

汤文辉 ;

黄雪枫 ;

周维 .

中国专利 :CN120321995A ,2025-07-15

[6]

碳化硅外延片及其制备方法和功率器件 [P].

王军 ;

周芮 ;

汤文辉 ;

黄雪枫 ;

周维 .

中国专利 :CN120321995B ,2025-09-09

[7]

碳化硅功率器件及碳化硅功率器件的制备方法 [P].

魏林程 ;

倪炜江 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN119364809A ,2025-01-24

[8]

碳化硅外延终端扩展结构及碳化硅功率器件 [P].

马志勇 ;

廖奇泊 ;

封国立 .

中国专利 :CN221226227U ,2024-06-25

[9]

一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件 [P].

桑玲 ;

田亮 ;

夏经华 ;

查祎英 ;

张文婷 ;

田丽欣 ;

安运来 ;

朱涛 ;

牛喜平 ;

罗松威 ;

杨霏 ;

吴军民 .

中国专利 :CN112002648A ,2020-11-27

[10]

碳化硅功率器件及其制备方法 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

相奇 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN121218646A ,2025-12-26

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