集成电路器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010485845.X

申请日：

2020-06-01

公开(公告)号：

CN112018065A

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

余振华卢思维

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2348 H01L2331 H01L2329 H01L2156 H01L21304 H01L2160 H01L2516 H01L2518

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20200601
2020-12-01	公开	公开

共 50 条

[1]

集成电路器件及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

梁晋玮 ;

匡训冲 ;

杨静茹 .

中国专利 :CN113314502B ,2024-08-23

[2]

集成电路器件及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

梁晋玮 ;

匡训冲 ;

杨静茹 .

中国专利 :CN113314502A ,2021-08-27

[3]

集成电路器件及其形成方法 [P].

邱文智 ;

余振华 ;

林士庭 ;

卢思维 .

中国专利 :CN113809018A ,2021-12-17

[4]

集成电路器件及其形成方法 [P].

余振华 ;

黄子芸 ;

何明哲 ;

郭宏瑞 .

中国专利 :CN112242381B ,2024-08-27

[5]

集成电路器件及其形成方法 [P].

余振华 ;

黄子芸 ;

何明哲 ;

郭宏瑞 .

中国专利 :CN112242381A ,2021-01-19

[6]

集成电路器件及其形成方法 [P].

邱文智 ;

余振华 ;

林士庭 ;

卢思维 .

中国专利 :CN113809018B ,2024-09-06

[7]

集成电路器件及其形成方法 [P].

廖志腾 ;

邱意为 ;

陈玺中 ;

蔡嘉庆 .

中国专利 :CN107665858A ,2018-02-06

[8]

集成电路器件及其形成方法 [P].

程仲良 ;

张毅敏 ;

张翔笔 ;

吕育玮 ;

方子韦 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN112103183A ,2020-12-18

[9]

集成电路器件及其形成方法 [P].

程仲良 ;

张毅敏 ;

张翔笔 ;

吕育玮 ;

方子韦 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN112103183B ,2024-05-03

[10]

集成电路器件及其形成方法 [P].

郑淑蓉 ;

潘国龙 ;

李佩璇 ;

黄见翎 ;

赖昱嘉 ;

郭庭豪 ;

蔡豪益 ;

余振华 .

中国专利 :CN111384010B ,2020-07-07

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