集成电路器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010041094.2

申请日：

2020-01-15

公开(公告)号：

CN112103183B

公开(公告)日：

2024-05-03

发明(设计)人：

程仲良张毅敏张翔笔吕育玮方子韦赵皇麟

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/423

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-03	授权	授权

共 50 条

[1]

集成电路器件及其形成方法 [P].

程仲良 ;

张毅敏 ;

张翔笔 ;

吕育玮 ;

方子韦 ;

赵皇麟 .

中国专利 :CN112103183A ,2020-12-18

[2]

集成电路、集成电路器件及其形成方法 [P].

包家豪 ;

陈稚轩 ;

洪连嵘 ;

林士豪 .

中国专利 :CN111261630B ,2020-06-09

[3]

集成电路及其形成方法 [P].

庄学理 ;

刘铭棋 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN111435662A ,2020-07-21

[4]

集成电路器件及其形成方法 [P].

宋胜旼 ;

李载泓 ;

徐康一 .

韩国专利 :CN118825026A ,2024-10-22

[5]

集成电路器件及其形成方法 [P].

余振华 ;

卢思维 .

中国专利 :CN112018065A ,2020-12-01

[6]

集成电路器件及其形成方法 [P].

许智育 ;

陈建豪 ;

陈嘉伟 ;

廖善美 ;

陈蕙祺 ;

梁育嘉 ;

林士豪 ;

林揆伦 ;

游国丰 ;

杨丰诚 ;

陈燕铭 .

中国专利 :CN113053882B ,2025-03-25

[7]

集成电路器件及其形成方法 [P].

李载泓 ;

徐康一 ;

林修永 ;

洪元赫 .

韩国专利 :CN119521768A ,2025-02-25

[8]

集成电路器件及其形成方法 [P].

廖志腾 ;

邱意为 ;

陈玺中 ;

蔡嘉庆 .

中国专利 :CN107665858A ,2018-02-06

[9]

集成电路器件及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

梁晋玮 ;

匡训冲 ;

杨静茹 .

中国专利 :CN113314502B ,2024-08-23

[10]

集成电路器件及其形成方法 [P].

林杏莲 ;

梁晋玮 ;

匡训冲 ;

杨静茹 .

中国专利 :CN113314502A ,2021-08-27

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