离子源系统和离子束流系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310297942.6

申请日：

2013-07-16

公开(公告)号：

CN104299871B

公开(公告)日：

2015-01-21

发明(设计)人：

洪俊华陈炯

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号

IPC主分类号：

H01J3708

IPC分类号：

H01J37302

代理机构：

上海弼兴律师事务所 31283

代理人：

朱水平;王聪

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731897021 IPC(主分类):H01J 37/08 专利申请号:2013102979426 变更事项:申请人变更前:上海凯世通半导体有限公司变更后:上海凯世通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号变更后:201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号
2015-01-21	公开	公开
2016-12-28	授权	授权
2015-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101599230697 IPC(主分类):H01J 37/08 专利申请号:2013102979426 申请日:20130716

共 50 条

[1]

离子束引出电极和离子源 [P].

井内裕 .

中国专利 :CN103094029A ,2013-05-08

[2]

用于离子束系统的间热式宽带束离子源和宽带离子束系统 [P].

黄永章 .

中国专利 :CN103247505B ,2013-08-14

[3]

引出带状离子束的离子源 [P].

朱昆 ;

颜学庆 ;

蔡实现 ;

黄维 .

中国专利 :CN115665962B ,2024-01-23

[4]

引出带状离子束的离子源 [P].

朱昆 ;

颜学庆 ;

蔡实现 ;

黄维 .

中国专利 :CN115665962A ,2023-01-31

[5]

引出带状离子束的离子源 [P].

朱昆 ;

颜学庆 ;

蔡实现 ;

黄维 .

中国专利 :CN117894653A ,2024-04-16

[6]

离子束引出用电极、离子源和引出电极系统 [P].

平井裕也 ;

赵维江 .

日本专利 :CN118571737A ,2024-08-30

[7]

离子束镀膜聚焦离子源 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN209312712U ,2019-08-27

[8]

离子源、离子束照射装置及离子源的运转方法 [P].

山元彻朗 .

中国专利 :CN110379697A ,2019-10-25

[9]

离子源、操作离子源的方法、以及离子源系统 [P].

木山俊昭 .

中国专利 :CN1461036A ,2003-12-10

[10]

会切场离子源及离子束产生方法 [P].

朱昆 ;

颜学庆 .

中国专利 :CN114258182A ,2022-03-29

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